非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究

DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论。依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度。最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性。这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估。

三星宣布开始量产新世代非挥发性记忆体PRAM

三星电子在台北六福皇宫酒店举办的第六届三星行动解决方案论坛中．正式宣布已开始量产512-Megabit（Mb）相位变化随机存取记忆体芯片（PRAM，phase change random access memory）。PRAM这种新型的非挥发性记忆体技术兼具了高效能及低耗电的特色，预期将可使移动装置的记忆体技术进入新的阶段。

半导体代工厂该为物联网SoC微缩制程吗?

近几个月来,一些主要的半导体业者与IC代工厂陆续宣布微缩IC的电晶体尺寸至14 nm,从而为物联网（IoT）系统单芯片（SoC）降低尺寸与成本的下一步铺路。然而,Objective Analysis半导体产业分析师Tom Stames表示：＂从发展时程上看来并没有这么快。目前所发布的消息大部份都与标准的微处理器架构有关，而与物联网设备的要求关系不大。这些主要都是数位系统，真的要微缩至这么小的几何尺寸并不容易，密切掌握基于微控制器的物联网设备需求才能轻松地实现”。

开发特色工艺平台,成就客户产品芯愿——在2009中国半导体市场年会上的演讲

华虹NEC为国内外客户提供涵盖1．0-0．13微米工艺的、专业的、高附加值代工服务，成功开发了嵌入式非挥发性存储器（Embedded Non—volatile Memory，eNVM）、模拟／电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等特色工艺平台（见下图）以及逻辑、混合信号等通用工艺平台，代工产品已广泛应用于智能卡（第二代身份证卡、SIM卡、社保卡等）、通讯、计算机、消费类电子以及汽车电子等领域。

Catalyst半导体新增3款工业标准型电压监控器 CAT823、CAT824和CAT825与MAXIM MAX823、MAX824、MAX825引脚兼容

模拟、混合信号器件及非挥发性内存供货商Catalyst半导体公司继续快速拓展其电压监控器产品线．新增三款器件为系统处理器提供电源监控和复位功能。新推出的CAT823、CAT824、

宏力半导体与力旺电子合作开发多元解决方案与先进工艺

晶圆制造服务公司宏力半导体与嵌入式非挥发性存储器（embedded non—volatile memory，eNVM）领导厂商力旺电子共同宣布，双方通过共享资源设计平台，进一步扩大合作范围，开发多元嵌入式非挥发性存储器解决方案。

Aplus快闪记忆体科技公司与SMIC在嵌入式EEPROM智财授权合作

非挥发性记忆体的供应商Aplus Flash Technology,Inc.,最近和上海中芯国际(简称 SMIC)签订了做为嵌入式 EEPROM 智财供应者的合约。这项合约在2002年的第四季即已谈定,双方目前已着手推动 EEPROM 的授权服务项目。Aplus 嵌入式 EEPROM

Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究

优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600s,具有较好的保留性能。

耐擦写能力测试评估中的样本数选取方法

介绍了非挥发性记忆体产品在进行耐擦写能力测试评估时如何合理地选取样本数的方法。在集成电路的可靠性测试中,样本数通常被理解为样品数,即芯片的颗数。对样本数进行了新的定义,将样本数定义为"芯片颗数×扇区数"。这种定义吻合产品可靠性测试对样本的基本定义,可以适用于所有的集成电路可靠性测试,尤其适用于非挥发性记忆体的耐擦写能力测试评估。为了保证相同的测试信心度,考虑到在耐擦写能力测试中周边电路对耐擦写能力测试结果的影响,依照对样本数新的定义,在进行样本数等值选取计算的时候,引入了一个全新的补偿因子f,并且给出了样本数等值计算的公式。实验结果表明,在引入补偿因子f后,样本数等值计算结果更加可靠。

中芯国际推出多元化eNVM技术平台

为客户提供更低成本，更佳性能和更灵活的设计，中芯国际集成电路制造有限公司，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，宣布推出多元化嵌入式非挥发性记忆体（eNVM）平台。

Catalyst推出两款扩展型LDO稳压器CAT6217和CAT6218

模拟、混合信号器件及非挥发性内存厂商Catalyst半导体公司今天宣布其低压差fLDO）稳压器产品线新增两款产品。CAT6217和CAT6218是分别能提供150mA和300mA输出电流的低压差稳压器，厚度仅为1mm，采用小型5引脚SOT23封装。

宏力发布最新低成本高效率0．18微米OTP制程

上海宏力半导体制造有限公司发布其最新开发的0．18微米OTP（一次编程）制程平台。该平台基于宏力半导体自身的0．18微米逻辑制程，结合了第三方OTP，采用3．3V作为核心器件。与其它非挥发性记忆体解决方案相比，宏力最新开发的0．18微米OTP缩短了产品上市时间，为客户降低了制造及研发成本。其产品应用广泛，可适用于语音控制、远程控制、小家电或者触控面板。

Ramtron致力扩展F-RAM的应用

市场定位：Ramtron是业界领先之非挥发性铁电内存（F-RAM）及整合式半导体产品的研发及供货商。主要（知名）产品：非挥发性F-RAM2010年主力市场：网通,智慧电网.

Ramtron第一批以IBM新生产线制造的F-RAM芯片样品开始出货

低功耗铁电内存（F-RAM）和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron宣布．开始提供以IBM公司新生产在线制造的首批先期验证（prequalification）铁电内存（F—RAM）之芯片样品。FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4kbit和16kbit的串行5VF-RAM产品，这些器件可为电子系统提供高性能的非挥发性数据收集和储存解决方案。Ramtron的F-RAM产品具有非挥发性RAM内存的性能、无延迟（NoDelay？）写入、高读／写耐用性及低功耗特性。

华虹NEC完成Cypress的0．13微米NVM技术授权

赛普拉斯半导体公司和上海华虹NEC电子有限公司今天共同宣布，Cypress的0．13微米嵌入式非挥发性存储器（NVM）技术已经在华虹NEC获得成功验证。始于2006年12月的技术授权项目已经顺利完成。

华虹NEC完成Cypress的0．13μmNVM技术授权

赛普拉斯半导体公司和上海华虹NEC电子有限公司（华虹NEC）共同宣布，Cypress的0．13μm嵌入式非挥发性存储器（NVM）技术已经在华虹NEC获得成功验证。始于2006年12月的技术授权项目已经顺利完成。

让数据传输更快的存储器

早前由意法和英特尔两大半导体公司将旗下的内存事业部门分割出来，合资成立的NOR闪存供货商恒忆（Numonyx）近日终于有了大动作。它推出了Velocity LPTMNV-RAM产品系列一一低功耗双倍数据传输速率（LPDDR）非挥发性存储器。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，

硬盘与闪存并存于消费性电子产品

从传统CRT、PDP、PRojector、TFT LCD到新兴的OLED,已渐雄踞媒体版面,似乎也宣告着平面显示器产业的春燕正来访;然而在相关业者尽力符合普罗大众对感官享受期待的同时,也无可避免地必须兼顾数据处理和功耗等效能,以及它的轻便性问题。放眼这段日子以来的FPD发展演变,所谓“春江水暖鸭先知”,平面显示器的第一主角——面板,即率先反映了消费者效用曲线不断升高、对质量要求日益挑剔的事实;继FPD在黄金切割比例及大尺寸上不断寻求突破之后,聚焦于可携式产品领域的中小尺寸,亦随之风起云涌。

未来五年最被看好的器件市场

Best-growing products 2004(sales) 71% Communications special purpose logic/MPR 60% DRAM 54% Telecom application-specific analog 48% Automotive special purpose