非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究

DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论。依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度。最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性。这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估。

Aplus快闪记忆体科技公司与SMIC在嵌入式EEPROM智财授权合作

非挥发性记忆体的供应商Aplus Flash Technology,Inc.,最近和上海中芯国际(简称 SMIC)签订了做为嵌入式 EEPROM 智财供应者的合约。这项合约在2002年的第四季即已谈定,双方目前已着手推动 EEPROM 的授权服务项目。Aplus 嵌入式 EEPROM

耐擦写能力测试评估中的样本数选取方法

介绍了非挥发性记忆体产品在进行耐擦写能力测试评估时如何合理地选取样本数的方法。在集成电路的可靠性测试中,样本数通常被理解为样品数,即芯片的颗数。对样本数进行了新的定义,将样本数定义为"芯片颗数×扇区数"。这种定义吻合产品可靠性测试对样本的基本定义,可以适用于所有的集成电路可靠性测试,尤其适用于非挥发性记忆体的耐擦写能力测试评估。为了保证相同的测试信心度,考虑到在耐擦写能力测试中周边电路对耐擦写能力测试结果的影响,依照对样本数新的定义,在进行样本数等值选取计算的时候,引入了一个全新的补偿因子f,并且给出了样本数等值计算的公式。实验结果表明,在引入补偿因子f后,样本数等值计算结果更加可靠。

半导体代工厂该为物联网SoC微缩制程吗?

近几个月来,一些主要的半导体业者与IC代工厂陆续宣布微缩IC的电晶体尺寸至14 nm,从而为物联网（IoT）系统单芯片（SoC）降低尺寸与成本的下一步铺路。然而,Objective Analysis半导体产业分析师Tom Stames表示：＂从发展时程上看来并没有这么快。目前所发布的消息大部份都与标准的微处理器架构有关，而与物联网设备的要求关系不大。这些主要都是数位系统，真的要微缩至这么小的几何尺寸并不容易，密切掌握基于微控制器的物联网设备需求才能轻松地实现”。

未来五年最被看好的器件市场

Best-growing products 2004(sales) 71% Communications special purpose logic/MPR 60% DRAM 54% Telecom application-specific analog 48% Automotive special purpose