基于Zn(Q-Ph)_2与DCJTB非掺杂型OLED的制备及其电致发光性能研究

合成了有机发光材料2-苯基-8-羟基喹啉锌Zn（Q—Ph）2，通过^1H NMR，UV—Vis及MS等手段对配合物进行了结构表征．利用该材料与高效的红光染料DCJTB复合制备出全新结构的非掺杂型OLED器件，其结构为ITO／NPB／DCJTB／Zn（Q—Ph）2／AlQ3／Al．将DCJTB超薄层的厚度调节到0～2．0nm范围内，OLED器件的发光色调经历了黄光、红光和橙光的转变，并且探讨了DCJTB厚度对OLED发光机理以及发光复合区域的影响．当DCJTB的厚度为0．5nm时，获得了稳定的红光发射，该器件在5．5V电压下启亮，在25V外加电压下发光亮度达到420cd／m^2，对应的电流密度为250mA／cm^2。

非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光

研究了热处理对非掺杂 n型氮化镓外延层光致发光谱的影响和光谱中各发光带强度与温度之间的关系 .热处理后 ,光谱中的带边峰和黄光峰的强度较热处理前都有明显降低 .黄光峰强度随温度升高的衰减速度要比带边峰慢得多 .由这些实验结果得出结论 :光谱中的带边峰是由自由激子和束缚在一浅施主能级的束缚激子的谱线重合而成 ,这个浅施主能级很有可能是由氮空位产生 ;黄色荧光的机制应为自由电子或施主能级向深受主能级的跃迁 ,并且黄色荧光肯定和氮化镓中的一内部缺陷产生的深受主能级有关 ,该内部缺陷很有可能是镓空位 .