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非故意发射超高次谐波发生机理及影响因素分析
被引量:
10
1
作者
唐松浩
肖湘宁
陶顺
《电力电容器与无功补偿》
2021年第2期103-109,共7页
随着接入电网的半导体器件开关频率的提高,换流器注入电网的谐波向着高频化方向延伸。超高次谐波是配电网电力电子化必然带来的电能质量新问题之一。本文针对非故意发射超高次谐波,从PWM脉宽调制的原理出发,分析了非故意发射超高次谐波...
随着接入电网的半导体器件开关频率的提高,换流器注入电网的谐波向着高频化方向延伸。超高次谐波是配电网电力电子化必然带来的电能质量新问题之一。本文针对非故意发射超高次谐波,从PWM脉宽调制的原理出发,分析了非故意发射超高次谐波产生原因及频率分布特征,并给出了一种能够反映超高次谐波典型特征的优选聚合频带方法,进一步分析了不同因素对超高次谐波发射的影响,为超高次谐波的检测与识别、相关标准的制定以及治理方法提供理论依据。
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关键词
超高次谐波
非故意发射
分布特征
影响
优选聚合频带
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职称材料
题名
非故意发射超高次谐波发生机理及影响因素分析
被引量:
10
1
作者
唐松浩
肖湘宁
陶顺
机构
国网北京市电力公司朝阳供电公司
华北电力大学新能源国家重点实验室
出处
《电力电容器与无功补偿》
2021年第2期103-109,共7页
文摘
随着接入电网的半导体器件开关频率的提高,换流器注入电网的谐波向着高频化方向延伸。超高次谐波是配电网电力电子化必然带来的电能质量新问题之一。本文针对非故意发射超高次谐波,从PWM脉宽调制的原理出发,分析了非故意发射超高次谐波产生原因及频率分布特征,并给出了一种能够反映超高次谐波典型特征的优选聚合频带方法,进一步分析了不同因素对超高次谐波发射的影响,为超高次谐波的检测与识别、相关标准的制定以及治理方法提供理论依据。
关键词
超高次谐波
非故意发射
分布特征
影响
优选聚合频带
Keywords
ultra-high harmonics
non-intentional emission
distribution feature
influence
preferred aggregation band
分类号
TM935 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非故意发射超高次谐波发生机理及影响因素分析
唐松浩
肖湘宁
陶顺
《电力电容器与无功补偿》
2021
10
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