非易失性高速存储器FM1808的应用技术

传统的非易失性存储器 E2 PROM和 FL ASH的写入速度都很慢 ,但 FRAM突破了这个缺陷 ,它是一种可以高速写入的非易失性存储器。在说明了 FRAM的存储原理的基础上 ,通过具体的数据对比说明了 FRAM的优点。介绍了 FM1 80

钛酸锶铅陶瓷电阻开关效应研究

陶瓷样品的电阻开关特性报道较少见,本文采用传统的高温固相法制备出钛酸锶铅((Sr0.9Pb0.1)Ti O3)陶瓷,并对陶瓷样品的相结构、电性能、阻抗进行了测试表征.XRD图谱显示样品呈现纯的钙钛矿四方相晶体结构.循环回路测试其I-V特性,当施加电压±60 V,陶瓷样品显示出良好的电阻开关效应.考虑到材料在制备过程中Pb挥发产生的氧空位,通过分析阻抗图谱,利用Arrhenius公式拟合计算出样品的活化能,进一步确定引起器件电阻开关特性的可能是氧空位机制.