非易失性RAM将取代SRAM和NOR闪存

FRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）和PRAM（相变存储器）等非易失性RAM相继上市，它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性（见图1）。这类存储器产品的写入时间很短，

AGIGA采用业界最高密度、无需电池的非易失性RAM系统用于重要数据的备份

赛普拉斯半导体的子公司AGIGA技术公司近日宣布推出拥有市场上最高密度．最快速度的非易失性RAM系统。AGIGARAM非易失性系统（NVS）的最新CAPRI系列可提供介于256megabytes（2048 megabits）和2 gigabytes（16gigabits）之间的存储密度。这一便于使用的交钥匙系列产品使用DDR2 SDRAM接口提供最高达800MHz的等同于DRAM的峰值传输速率。CAPRI系列能够使很多有价值的系统功能成为可能，

AGIGARAM：非易失性RAM系统

AgigA Tech推出了高速、高密度、非易失性RAM系统BALI和CAPRI产品系列。该新型AGIGARAM非易失性系统（NVS）技术所实现的密度介于4MB（32Mb）到2GB（16Gb）之间，传输峰值速度与DRAM的相当。AGIGARAM是多种系统的理想选择，如存储、网络、通信。BALI产品特性：主要面向通用、嵌入式及工业等应用：4MB到64MB的密度；

AGIGA Tech:无电池非易失性RAM

2010年半导体行业突如其来的产能紧张让业界"印象深刻"。曾有人认为,过去几十年给人类文明和科技进步带来重大影响的半导体业已是日薄西山。然而,事实上,新的需求和新技术的发展正在不断为半导体业注入新鲜血液。目前存储器行业的供应现状及未来供求趋势如何?市场对非易失性存储的需求来自哪里?以AGIGATech为代表的非易失性存储最新产品方案能否满足市场需求?存储器行业将有着怎样的发展前景?本期将帮助您解决以上疑问。

AgigA Tech推出业界首款高速、高密度、无电池、非易失性RAM系统

日前，赛普拉斯半导体公司的子公司美国技佳科技有限公司（AgigA Tech Inc．）推出了业界首款高速、高密度、非易失性RAM系统。该新型AGIGARAM非易失性系统（NVS）技术所实现的密度介于4MB（32Mb）到2GB（16Gb）之间．传输峰值速度与DRAM的相当。AGIGARAM是多种系统的理想选择，如存储、网络、通信、工业计算和控制、医疗设备、游戏系统、ATM和销售点终端、打印机，扫描仪．复印机，汽车和军事系统等。

FM22LD16：4M并行非易失性F-RAM存储器

Romtron推出采用精简的FBGA封装的4MF-RAM存储器FM22LD16。FM22LD16是一个容量为4M、3V工作电压的并行非易失性RAM，采用48脚球状矩阵排列（FBGA）封装，具有陕速存取、无限次读写周期和低功耗特性。

8Mb并口非易失性FRAM

FM23MLD16是采用48脚FBGA封装的8Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。

Ramtron速度更快功率更灵活1Mb并行F—RAM

Ramtron推出全新并行和串行F—RAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读／写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。Ramtron的V系列F—RAM产品中的最新器件FM28V100，是1兆位（Mb）、2．0-3．6V的并行非易失性RAM，采用32脚TSOP—I封装，具备快速访问、无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性。FM28V100是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域中，由1Mb电池支持SRAM存储器升级的理想产品。

Ramtron出货首批使用新IBM生产线制造的F-RAM样片

低功耗铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布，已经可广泛提供在新IBM公司生产线上制造的首批预验证铁电存储器（F—RAM）样片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4Kb和16Kb的串行5VF—RAM产品，这些器件可为电子系统提供高性能非易失性数据采集和存储解决方案。Ramtron的F—RAM产品具有非易失性RAM存储性能、无延迟（NoDelay）写入、高读／写耐用性及低功耗特性。

车用16Kb 3V串行FRAM

FM24CL16的16Kb、3V串行FRAM存储器的汽车级认证型号能达到AEC—Q100标准的要求。FM24CL16是具有工业标准2线接口的16Kb非易失性RAM，与相应的EEPROM器件引脚兼容，但性能更佳，能以高达1MHz的总线速度进行读和写操作，兼且具有几乎无限的耐久性、45年的数据保存能力和低功耗的特点。

高功效512Kb／1Mb串口FRAM

512Kb FM24V05和1Mb FM24V10是2．0-3．6V的串口非易失性RAM，采用8引脚SOIC封装，使用双线（I^2C）协议。这两款器件的特点包括快速访问、无延迟写入、几乎无限的读／写次数及低功耗，是工业控制、仪表、医疗、军事、游戏、计算机及其他应用领域的串口闪存和串口EEPROM存储器的普适型替代产品。

FM23MLD16系N：8位并行FRAM

Ramtron公司推出采用流线型密间距FBGA封装的8位FRAM存储器。FM23MLD16是8Mb、3V并行非易失性RAM，采用48引脚封装，具有快速存取性能，实现无限读，写周期和低功耗等特点。

Ramtron推出32Kb器件 扩展F-RAM串口存储器产品线

Ramtron宣布推出FM24CL32，提供具高速读／写性能．低电压运行．以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb非易失性存储器．工作电压为2．7V～3．6V．采用8脚SOIC封装，使用二线制（I2C）协议；

高速和功率灵活的1Mb串行FRAM存储器

V系列FRAM产品的首款器件FM25V10是1Mb、2．0～3．6V、具有串行外设接口（SPI）的非易失性RAM，采用8引脚sOIC封装，其特点是快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗，可代替工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域的1Mb串行闪存和串行EEPROM。

使用新IBM生产线制造的F-RAM样片

FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4Kb和16Kb的串行5VFRAM产品，是首批在新IBM公司生产线上制造的预验证铁电存储器（FRAM）样片。FRAM产品具有非易失性RAM存储性能、无延迟（NoDelay）写入、高读／写耐用性及低功耗特性。这些器件可为电子系统提供高性能非易失性数据采集和存储解决方案。

RAMTRON推出2兆位并行存储器产品

Ramtron International Corporation推出2兆位（Mb）并行存储器产品．进一步扩展其高密度F—RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-Ⅱ封装的3V、2Mb并行非易失性RAM．具有访问速度快、NoDelay无写等待、无限次读／写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM（SRAM）管脚兼容，其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。

Ramtron新添F-RAM器件FM25V05

Ramtron International公司推出F—RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05，提供高速读／写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2．0V～3．6V及具有串行外设接口的非易失性RAM，特点包括快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗，是工业控制、仪表、医疗、汽车等应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器的理想替代产品。

串行512Kb FRAM

FM25V05是512Kb、2．0～3．6V、具有串行外设接口（SPI）的非易失性RAM，采用8引脚SOIC封装，特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读／写次数和低功耗。FM25V05可代替工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其他应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器。

FM23MLD16：F-RAM存储器

Ramtron推出8MbF-RAM存储器，采用改进型FBGA封装。FM23MLD16是采用48引脚细间距球栅阵列（FBGA）封装的8Mb、3V并行非易失性RAM，具有访问速度快，几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态RAM（SRAM）兼容，主要针对工业控制系统，如：机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统以及各种基于SRAM的系统设计。

RAMTRON发布带高速串行接口的全新FRAM-ENHANCED PROCESSOR COMPANION系列产品

非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出FM33x产品系列,这是带高速串行接口（SPI）的全新FRAM-Enhanced Processor Companions系列。FM33x系列在小型封装中整合了非易失性RAM的所有特性,还包含全面广泛的高度集成支持及外围功能．适用于任何以处理器为基础的设计。