NAND和NOR flash技术设计师在使用闪存时需要慎重选择

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器设计

先对ONFI标准进行了介绍,然后再设计了一种支持ONFI 2.1标准源同步高速模式的NAND Flash控制器,包括状态机的设计,接口的设计等。对设计中遇到的源同步模式下,信号的对齐问题进行了说明,并提出了一种解决方法。同时设计中还会遇到数据跨时钟域传输的问题,本文也给出了解决办法。最后仿真和综合结果表明,本文的设计完全满足标准要求,具有实际的使用价值。