几种新型非易失存储器的原理及发展趋势

介绍几种有发展潜力的新型非易失存储器的原理,如铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器等,并在性能方面作了对比,最后对存在的问题和发展趋势进行了分析。

富士通和爱普生宣布将联合开发下一代FRAM非易失存储器技术

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory，FRAM)非易失存储器技术。

内存储器的革命——非易失性MRAM技术解析

尽管内存技术在几十年的发展过程中已经有了很大的变化，而且性能也提高了不少，但是并没有实质性的改变。因为这些产品都是基于动态随机访问存储器DRAM(dynamic random—access memory)的，一旦没有持续的电力，所存储的数据就会立即消失，这就直接导致目前的PC必需经历一段不短的时间进行启动才能正式使用。而无法像其他家电一样即开即用。然而MRAM却是一种全新的技术，甚至有望令PC的应用方式彻底改变。

4DS和SEMATECH合作开发下一代非易失性存储器

硅谷的电阻随机访问存储器（RRAMJ技术公司4DS与美国半导体制造技术战略联盟（SEMATECH）的前端处理（FEP）部门合作，共同开发非易失性存储器技术。

RAMTRON宣布为4兆位并口非易失性F-RAM存储器提供FBGA封装选择

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM，具有高访问速度、几乎无限的读／写次数以及低功耗等优点。

磁性随机存储器的发展及其缓存应用

随着半导体工艺的进步,晶体管尺寸不断缩小,阈值电压随之下降,传统静态随机存储器的静态功耗逐渐成为系统的瓶颈。而新兴的磁性随机存储器由于具有密度高、极低的漏电流、非易失等特性,成为了后摩尔时代解决静态功耗作为工作存储器的有力竞争者。基于此,本文介绍了MRAM的特性,调研了近三年的MRAM芯片研究成果,重点阐述了MRAM应用于处理器中多级缓存的情况。最后,本文提出了基于非易失存储器的评估工具,实现对缓存性能的评估。

带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟所具备的优势

1概述 随着DS32X35系列产品的发布，Dallas Semiconductor公司提供了无需电池的非易失存储器。这些器件采用铁电随机存取存储器（FRAM）技术。FRAM是非易失存储器。其读／写操作与RAM类似。该系列器件能够可靠地将数据保持10年之久。与EEPROM和其他非易失存储器不同的是：它不需要考虑系统复杂性、过度开销以及可靠性等问题。从1992年出现第一块FRAM至今。铁电随机存取存储技术已趋于成熟。

外部高速缓存与非易失内存结合的混合内存体系结构特性评测

以非易失性存储器(NVM)作为主存且以动态随机存取存储器(DRAM)作为片外高速缓存(EC),是一种可以满足大数据应用内存容量需求的新型混合内存结构(ECNVM)。该结构同时具有NVM的大存储容量和DRAM的低存取延迟的优点。传统的结构是以片内SRAM作为片内高速缓存(IC)且以DRAM作为主存(IC-DRAM)。与ICDRAM相比,EC-NVM在容量比、延迟比方面均有显著不同,导致在IC-DRAM场景下的设计方法和优化策略直接迁移到EC-NVM上未必有良好的效果。本文评测了 EC-NVM的体系结构特性(包括高速缓存粒度、关联度、替换算法、预取算法等),获得了指导ECNVM结构的设计和优化的一系列发现。

富士通和爱普生联合开发FRAM存储器

富上通公司和精工爱普生公司近日宣布．双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（FRAM）非易失存储器技术。

铁电存储技术

简要说明了铁电随机存储器的工作原理及特点 ,详细阐述了阻碍铁电存储技术发展的技术难点 ,重点讨论了铁电薄膜材料的疲劳机理 。

非易失铁电存储器的进展和若干问题

铁电薄膜与半导体集成，产生了新一代非易失存储器．它的功耗之小，写入速度之快，可重写次数之多以及抗辐照能力之强是目前任何一种半导体存储器所不及的．文章介绍了非易失铁电存储器的原理、特点、进展和应用，并讨论了这类存储器在进入大规模商业生产时所面临的若干材料、工艺和器件失效等问题．

非易失性存储器的发展及应用

半导体存储器计算机硬件中必不可少的一项设备就是存储器,信息化的处理离不开对信息的保存,因此,随着计算机的诞生和发展,先后出现了各式各样的存储器,而半导体存储器就是其中之一。

一种嵌入式实时多分区操作系统下的NVRAM管理机制

在嵌入式实时多分区操作系统中,针对直接通过绝对地址访问NVRAM导致存储器访问越界的问题,该文提出了一种NVRAM管理机制,通过定义注册接口、读取接口和写入接口,屏蔽了不安全的物理存储器访问机制,建立了安全可靠的NVRAM管理机制。通过实际的工程应用证明,该NVRAM管理机制完全避免了存储越界访问的风险,同时降低了系统维护成本,有效地提高了应用软件的安全性,降低了开发成本。

基于RDMA和NVM的大数据系统一致性协议研究

分布式的存储系统以及计算系统是构造大数据处理系统的基础。系统的高可用性是任何一个分布式系统的基石,高可用技术一般依赖于一致性协议。讨论了经典的非拜占庭的分布式一致性协议以及新技术发展下的RDMA通信协议与NVM存储介质,通过RDMA和NVM的结合获得了更高性能的高可用系统。改进了一致性协议,使其能够更好地利用RDMA与NVM的特性。实现的系统在保证系统数据一致和可用的同时,有效地提高了协议实现的性能。实验表明,相比于现有的系统,实现的系统能够得到40%的性能提高。

一种MRAM仿真系统的设计实现

计算机科学技术日新月异的发展,对存储器的集成度、读写速度、可靠性等方面提出了更高的要求.在这种形势下,一些传统存储器的缺陷逐步暴露出来,需要新一代存储器适应技术的发展和要求.与传统的存储器相比,磁阻式随机访问存储器(magnetic random access memory,MRAM)具有更好的性能,它同时具备静态随机访问存储器(static random access memory,SRAM)的高速读写性能、动态随机访问存储器(dynamic random access memory,DRAM)的高集成度与Flash存储器的非易失性等优点.为了研究MRAM用作主存时的各项性能,进一步探究MRAM作为DRAM主存替代品的可能性,根据MRAM的原理以及特点,设计并实现了一个MRAM仿真系统,由trace发生器、MRAM控制器和MRAM存储体3部分组成.MRAM仿真系统接收来自处理器(CPU)对主存的读写请求,并根据设计的地址映射算法,对请求进行调度,完成对MRAM存储器的读写请求.仿真结果表明,用MRAM做主存能够发挥出MRAM的优势,获得良好的请求响应时间、请求带宽等性能.

PCRAM损耗均衡研究综述

随着半导体工艺的高速发展,计算机系统中处理器与主存之间性能差距的不断增大,传统存储器件的集成度已接近极限,能耗问题也日益突出,当前传统的主存技术面临挑战.相变随机存储器(PCRAM)具有集成度高、功耗低、非易失、字节级编址等优良特性,是最有发展潜力的、最有可能完全取代DRAM主存的非易失性存储器之一.首先介绍了PCRAM的发展与应用现状,指出T型结构是当前学术界和产业界广泛采用的器件结构,目前已经有PCRAM产品逐步开始量产并投入商业应用.然后,介绍了PCRAM当前面临的挑战,指出PCRAM面临的写耐久性局限是限制期发展与应用的主要障碍之一,分布不均匀的写操作会使PCRAM快速失效.接着,从硬件辅助和软件辅助两个角度分别介绍了当前研究人员所提出的一些具有代表性的PCRAM损耗均衡技术,在分析和归纳当前研究现状的基础上,指出了现有方案的优点和亟待完善之处.最后,展望了未来PCRAM损耗均衡技术的研究方向,为该领域今后的发展提供参考.

半导体压力传感器研制现状与开发动向

随着IC制造技术的迅速发展,硅膜片式压力传感器及其集成化压力传感器受到青睐,对其开发研制相当盛行。本文以应用压阻效应原理的硅膜片式压力传感器为中心阐述半导体压力传感器的最近研制现状与开发动向。

STT-MRAM存储器的研究进展

基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写入等优点而有望成为下一代低功耗通用存储器.尤其是近年来STT-MRAM商用芯片的成功问世进一步推动了该器件的研究与应用.本文首先阐述了MRAM的基本原理与发展历程,着重介绍了写入技术的演变以及磁各向异性的改善.然后总结了近期在3个领域的研究成果:(1)学术界开展了大量研究以探讨制备工艺和器件结构等因素对界面垂直磁各向异性的影响;(2)CoFeB-MgO双界面结构被提出,该结构在不增大写入电流的前提下增强了磁隧道结的热稳定性势垒;(3)新兴的自旋轨道矩写入方式引起了广泛的关注,该技术有望解决传统自旋转移矩所面临的速度瓶颈和势垒击穿风险.最后,本文扼要地介绍了STT-MRAM在芯片设计领域的最新进展.

提高路由器安全性的7项措施

一、配置管理 除了在路由器的非易失性随机存储器中保存路由器的配置外，在另一个安全的位置保存配置的副本是很有必要的。发生攻击时如果配置被破坏或是被修改，备份的配置能快速地恢复。可通过向FTP服务器拷贝路由器的配置，以便路由器配置遭破坏时能快速恢复。 二、控制对路由器的访问 町通过VTY（虚拟类型终端）端口、TTY控制台神1辅助端13实现对路由器的访问控制。VTY端口常用于扶得路由器的远程交互式访问。最常用的方法是Telnet，SSH和rlogin。