GeSe_2非晶半导体薄膜中光致结构及性能变化

运用X射线衍射分析、红外光谱分析、扫描电镜分析和透射光谱分析 ,研究了GeSe2 非晶半导体薄膜经5 14.5nm波长的氩离子激光辐照后的结构及性能变化。实验结果表明 ,经热处理和激光辐照后 ,薄膜的光学吸收边均移向短波长处 ,这种移动随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增大 ,并且在退火薄膜中是可逆的。扫描电镜分析结果表明 ,薄膜在激光辐照后有微晶析出 ,这种微晶的析出量随着辐照激光强度的增强而增加。

非晶磁性半导体材料合成方法及性能研究

现代通信技术、电子信息技术、智能计算的快速发展对高频、耐磨损器件提出了更高的需求,不仅需要器 件具备较好的软磁性能,在力学性能等方面也提出了较高的要求。针对上述问题,本文针对非晶磁性半导体材料 的制备方法以及磁性能、力性能、稳定性进行全面研究,掌握了非晶磁性半导体材料的大规模制备方法,获得了 优良磁性能、力性能和稳定性的原理与应用情况,为制备铁基非晶磁性半导体材料 Fe-B-C-N 以及测试分析其软 磁性能、力学性能提供了理论基础。