非晶Si/SiO_2超晶格的制备及其光谱研究

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2 超晶格 .利用透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射技术对其结构进行了分析 ,结果表明 ,超晶格中Si层大部分区域为非晶相 ,局域微区呈现有序结构 ,其厚度由 1.8— 3.2nm变化 ,SiO2 层厚度为 4.0nm .并采用多种光谱测量技术 ,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术 ,对该结构的光学性质进行了系统研究 .结果表明 ,随纳米Si层厚度的减小 ,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移 ,Ra man峰发生展宽 。