GZO厚度对非晶硅电池中复合背电极的影响

在非晶硅太阳能电池中加入复合背电极是提高非晶硅太阳能电池光电转换效率和稳定性的有效手段.本文利用磁控溅射技术在非晶硅薄膜太阳能电池上制备了ZnO∶Ga(GZO)/Al复合背电极,研究了GZO厚度对GZO薄膜光电性质及非晶硅电池中GZO/Al复合背电极性能的影响.研究表明:随着GZO层厚度的增加,GZO薄膜的光电性质均表现出较高水平,适合制备GZO/Al复合背电极;相较于单层Al背电极的非晶硅太阳能电池,具有GZO/Al复合背电极的太阳能电池性能大幅提高.当GZO层厚度为100 nm时,太阳能电池的短路电流(ISC)、开路电压(VOC)和填充因子(FF)分别达到8.66 mA,1.62 V和54.7%.

太阳能级多晶硅价格上扬非晶硅电池成热点

由于太阳能级多晶硅价格直线上扬,硅片在太阳能电池中的成本已经占到了70%,中国太阳能企业利润也因此受到了极大冲击。从2004年起,太阳能电池制造商的利润率已从高点开始下滑,如无锡尚德,其2005～2007年的毛利率分别约30%25%、20%。太阳能下游行业不久可能出现洗牌。

天津津能玻璃衬底非晶硅电池二次扩产

据媒体报道，天津津能公司在完成玻璃衬底非晶硅太阳能电池扩产改造项目的基础上，今年再次扩产，再创新高，并将形成年产100兆瓦的生产能力。

首创非晶硅电池行者集团开辟太阳能领域“蓝海”

与2004年雅典奥运会大量采用多晶硅太阳能电池不同，在2008年北京奥运会期间，奥运村太阳能热水器系统将采用世界领先的新一代非晶硅太阳能电池技术，其制造者正是北京奥运会合作伙伴之一的北京行者集团。据了解，奥运村太阳能热水系统将在北京奥运会期间为16800余名运动员提供洗浴热水；奥运会后将满足约1868户共6000名居民的生活热水需求，每年可实现节电1000万千瓦时。不仅如此，非晶硅太阳能电池同样获得了奥运场馆建设项目的青睐。

非晶硅电池玻璃的制备

一、前言随着工业的高度发展,世界上面临着能源危机。当前,我国能源供应紧张,已是制约我国经济发展的一个因素。因此,新能源的研究已成为国际上重要的研究课题,其中非晶硅太阳能电池的研制,是其重要领域之一,它可以将太阳能有效地转换为热能。用作太阳能电池的基片,主要有单晶硅、多晶硅、非晶硅、CdS等材料。由于单晶硅等材料纯度高、工艺技术复杂、造价昂贵,限制了其应用;CdS电池材料的化学稳定性差、使用寿命短、转换效率低。随着真空镀膜技术的发展,尤其是近几年来,在玻璃衬底上镀制非晶硅薄膜的成功,由于它具有很高的透明度。

金属掺杂TiO2界面层对非晶硅电池效率的影响研究

通过在PIN结构非晶硅(a-Si)电池的透明导电电极(TCO)和P-型非晶Si层间插入一层Nb掺杂的TiO2层,用于改善界面性质并提高电池转化效率。系统研究了不同厚度的Nb掺杂TiO2层薄膜的透光性以及在有光照和无光照时的I-V特性。此外,也比较了具有相同厚度的Nb-TiO2,Zn-TiO2以及纯的TiO2薄膜的光电响应。研究结果表明,厚度为6 nm的Nb-TiO2纳米薄膜具有最佳的光电响应。具有不同厚度Nb-TiO2插入层的非晶硅薄膜电池的性能测试表明,插入6 nm厚Nb-TiO2纳米薄膜的电池有效减小了寄生串联电阻,改善了填充因子,相比无插入层电池光电转化效率提高了8%。

用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO/Al背反射电极

本文首先在低温（140℃）和低功率下采用Zn：Al合金靶直流反应磁控溅射法研制ZnO：Al透明导电膜。然后在单结（glass／SnO2／pin／）或双结（glass／SnO2／pin／pin／）非晶硅电池上沉积约70-100nm厚的ZnO透明导电膜，最后再用电阻蒸发法沉积Al电极。实验获得了较好的n^＋／ZnO界面，实现了ZnO／Al背电极的增反作用，使电池的短路电流增加1-3mA／cm^2，光电转化效率提高1—3％（绝对效率），小面积电池效率达到9．5％。

硅锗光子晶体复合电极对非晶硅电池性能的影响

采用离子液体电沉积法辅助胶体晶体模板法在非晶硅电池板的ZnO:B表面构筑硅锗光子晶体,制备出ZnO/Si Ge-PCs/Ag(ZnO/SiGe Photonic Crystals/Ag)复合背电极,并研究了ZnO/SiGe-PC/Ag复合背电极与ZnO/Al背电极的非晶硅电池的光电性能.实验结果表明,基于ZnO/SiGe-PCs/Ag复合结构背电极能够提高非晶硅太阳能电池的外量子效率和短路电流密度;并且,随着硅锗光子晶体孔径的增加,电池的效率明显增加.这种新型的光子晶体复合电极结构,对于改善非晶硅叠层电池的光电效率和光电流匹配问题提供一种新途径.

基于BZO衬底的高效非晶硅及非晶/微晶硅叠层太阳电池

通过研究氢稀释对硼掺杂的硅氧材料特性的影响,制备出具有高纵向电导率(1.1×10^(-5)S/cm)、低横向电导率4.2×10^(-5)S/cm和宽带隙(2.52 eV)的p型纳米硅氧(p-nc-SiO_x:H)材料,将其作为非晶硅电池(a-Si:H)的窗口层,使短波响应得到明显提升。但由于宽带隙p-nc-SiO_x:H层的引入,使p/i界面能带失配,恶化了电池性能。因此研究p/i界面缓冲层带隙对电池性能的影响,发现提高缓冲层带隙,使电池的内建电场得到明显提升,从而提高电池的转换效率。将获得的具有高开路电压的a-Si:H电池作为顶电池应用到非晶/微晶硅叠层电池中,得到效率达12.99%的高效非晶/微晶硅叠层太阳电池。

非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究

以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅太阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅太阳电池.利用Lambda950紫外-可见光分光光度计表征薄膜的光学带隙,并测试电池开路电压、短路电流、填充因子以及转化效率等参数,再分析电池的光谱响应特性.实验表明,掺硼非晶金刚石薄膜的光学带隙(～2.0eV)比p型非晶硅更宽,以掺硼非晶金刚石薄膜用作非晶硅太阳电池的窗口层,能够改善电池的光谱响应特征,并提高转化效率达10%以上.

电阻蒸发铝薄膜结构及其对非晶硅太阳电池性能的影响

本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增加到0.829V,电池的Jsc平均值由11.747mA/cm2减小到11.318 mA/cm2,电池的FF平均值由0.701增加到0.728,而电池效率的平均值略有增加,由6.803%增加到6.833%。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了玻璃衬底上蒸发的Al薄膜和非晶硅电池Al背电极表面形貌和微观结构的变化,分析了电池性能随Al背电极厚度变化的原因。

非晶硅与晶硅太阳电池在太阳能光伏发电应用中热性能的研究

对在北京地区屋面上固定角度安装(目前光伏发电应用中最常见的安装形式)的非晶硅和多晶硅太阳电池组件进行了近二年的数据采集,纪录了北京地区温度数据和太阳电池阵列的实际发电量,分析了它们各自的特点,为用户更为关心的户外使用情况提供了参考依据;认为如果仅从温度特性考虑,是否采用非晶硅替代晶体硅电池在不同地区应有不同考虑,如果再考虑到人们普遍认为的非晶硅电池没有解决的稳定性问题,表面玻璃的非钢化、效率低等其它问题,非晶硅的使用应慎重,不应盲从。同时在使用中不论何种电池都不应忽视组件的通风问题。

氢退火的BZO前电极对非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响

采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显著提高,这使得BZO薄膜的导电能力提高;当采用厚度较小、透光率较高的BZO薄膜进行氢退火后作为前电极结构时,非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流密度提高0.3~0.4mA/cm^2,电池的转化效率提高0.2%。实验结果可为通过优化前电极结构来提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率提供一种简易的方法。

非晶硅薄膜电池应用及前景分析

通过详细阐述非晶硅薄膜电池的结构和优点,论证了非晶硅薄膜电池具有的广阔应用前景,尤其在遮阳、中空光伏组件中的应用具有明显的优势,其对可再生能源的发展有着积极的推动作用。

非晶硅薄膜太阳能电池自动装箱机的研制

国内现有的非晶硅薄膜太阳能电池的生产线,除了封装入箱之外已经完全实现自动化。目前装箱工作由人工完成,劳动强度大、成本高。为了实现自动化,降低成本,通过分析装箱的工艺流程,设计出一种全自动装箱机。该机由伺服电机和气缸驱动,PLC控制,将装箱工作的3个动作分3个工位完成,运用机电一体化技术,将繁重的人工装箱改进为全自动机械装箱,节约了人力,降低了生产成本。

非晶硅薄膜电池的历史、现状和发展中的主要问题

对非晶硅薄膜太阳能电池的历史和现状进行了总结,指出了目前非晶硅薄膜太阳能电池存在的主要问题是转换效率低和严重的光致衰减效应,对解决这些问题的一些技术进行了探讨,认为非晶硅薄膜太阳能电池有很大的发展潜力,将与晶体硅和其他新兴太阳能电池三分天下。

非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响

采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的p层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微晶硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填充因子由60%提高到63%.

非晶硅薄膜太阳能电池生产简述

简述了非晶硅薄膜太阳能电池基本原理,论述了采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术生产非晶硅薄膜太阳能电池的工艺、产品性能参数及研究发展方向。

非晶硅薄膜电池组件的接地设计

非晶硅薄膜电池的负极接地设计在光伏系统的设计中很重要。根据非晶硅薄膜电池的特点,从漏电流和透明导电氧化物(TCO)腐蚀等方面,分析了非晶硅薄膜电池负极接地的主要原因,着重讨论了非晶硅薄膜电池负极接地的接地点选择、接地方式选择和对逆变器的要求等不同的设计方案。建议将接地点选择在逆变器的负极位置,最好采用带工频隔离变压器的逆变器或带高频变压器的逆变器。

非晶硅太阳电池原理及应用

本文介绍了非晶硅太阳电池的原理、结构及电性能参数。为了便于应用。