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非晶硅碳(a-SiC∶H)薄膜光学常数的透射谱表征 被引量:6
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作者 胡志华 廖显伯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期34-37,共4页
报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序 .这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系 ,所有公式均为解析表达式 ,便于进行数据处理 ,无须专用软件 ,使用Excel... 报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序 .这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系 ,所有公式均为解析表达式 ,便于进行数据处理 ,无须专用软件 ,使用Excel即可完成 ,适用于多种半导体薄膜材料 .将这种方法应用于PECVD方法制备的非晶硅碳(a SiC∶H)薄膜 。 展开更多
关键词 光学常数 透射谱 非晶硅碳薄膜
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非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭 被引量:2
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作者 周亚训 陈培力 +1 位作者 王晓东 白贵儒 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期159-164,共6页
本文详细测试了用RF-PECVD法制备的非晶硅碳薄膜发光二极管的光强电流特性和温度对器件发光强度的影响.在直流电流驱动下,器件的发光在注入电流1A/cm^2左右趋于饱和,而在低占空比的脉冲电流驱动下器件的发光直至注入电流20A/cm^2仍随电... 本文详细测试了用RF-PECVD法制备的非晶硅碳薄膜发光二极管的光强电流特性和温度对器件发光强度的影响.在直流电流驱动下,器件的发光在注入电流1A/cm^2左右趋于饱和,而在低占空比的脉冲电流驱动下器件的发光直至注入电流20A/cm^2仍随电流近似线性增长,但提高环境温度发光随之下降.结合对器件受热情况分析表明,热致猝灭而非场致猝灭导致了器件在大电流下的发光饱和,并简要提出了改进器件散热的措施. 展开更多
关键词 非晶硅碳薄膜 发光二极管 热致猝灭
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非晶硅碳薄膜发光二极管的研究现状及趋势 被引量:1
3
作者 周亚训 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期214-220,共7页
扼要地介绍了非晶硅碳薄膜可见光发光二极管(α-SiCx:HTFLED)及其研究现状,简单地阐述了当前存在的问题,详细地评述了非晶硅碳薄膜发光二极管的发展方向──提高发光亮度、实现彩色显示、大面积化和低热耗,并预期着其... 扼要地介绍了非晶硅碳薄膜可见光发光二极管(α-SiCx:HTFLED)及其研究现状,简单地阐述了当前存在的问题,详细地评述了非晶硅碳薄膜发光二极管的发展方向──提高发光亮度、实现彩色显示、大面积化和低热耗,并预期着其有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 非晶硅碳 发光二极管 发光亮度
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非晶硅碳薄膜发光二极管的效率分析
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作者 周亚训 陈培力 +2 位作者 王晓东 白贵儒 缪容之 《宁波大学学报(理工版)》 CAS 1993年第1期28-35,共8页
本文利用简单的能带结构模型,分析了非晶硅碳薄膜发光二极管的载流子注入、复合和输运过程,定量计算了器件的发光效率。在忽略器件结温影响的情形下,发现低场下器件的发光效率主要取决于空穴的注入效率,而在高场下则主要依赖于空穴的辐... 本文利用简单的能带结构模型,分析了非晶硅碳薄膜发光二极管的载流子注入、复合和输运过程,定量计算了器件的发光效率。在忽略器件结温影响的情形下,发现低场下器件的发光效率主要取决于空穴的注入效率,而在高场下则主要依赖于空穴的辐射复合效率,理论分析与实验结果相一致。在此基础上简要提出了提高器件发光特性的措施。 展开更多
关键词 非晶硅碳薄膜发光二极管 发光效率 注入效率 辐射复合效率
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非晶硅碳合金多能隙p—i—n结的能带不连续性的内光发射测量
5
作者 魏光谱 Kruan.,D 《上海科技大学学报》 1991年第2期1-9,共9页
关键词 非晶硅碳合金 内光发射 p-i-n结
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氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响 被引量:2
6
作者 胡志华 廖显伯 +3 位作者 刁宏伟 孔光临 曾湘波 徐艳月 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2004年第5期525-532,共8页
用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiCH)薄膜.运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧... 用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiCH)薄膜.运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响.实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15eV).高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰,峰位位于2.1eV.结合Raman谱分析,认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应,纳米硅被Si-C和Si-O限制. 展开更多
关键词 氢稀释 非晶硅碳薄膜 薄膜生长 薄膜光学 紫外-可见光透射谱 量子限制效应
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p-a-SiC:H降低晶体硅异质结太阳能电池寄生损失的研究
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作者 陆晓曼 肖振宇 +3 位作者 陈传亮 李彦磊 訾威 方国家 《信阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 2024年第2期159-164,共6页
使用宽带隙的p型氢化非晶硅碳(p-a-SiC:H)薄膜作为晶体硅异质结(SHJ)太阳能电池的窗口层,使用时域有限差分法(FDTD)模拟证明,p-a-SiC:H不仅能明显降低窗口层的短波寄生吸收损失,而且可以减少SHJ太阳能电池的反射损失,从而增强SHJ太阳能... 使用宽带隙的p型氢化非晶硅碳(p-a-SiC:H)薄膜作为晶体硅异质结(SHJ)太阳能电池的窗口层,使用时域有限差分法(FDTD)模拟证明,p-a-SiC:H不仅能明显降低窗口层的短波寄生吸收损失,而且可以减少SHJ太阳能电池的反射损失,从而增强SHJ太阳能电池的光谱响应。实验结果也证明,使用优化的p-a-SiC:H窗口层可以提升SHJ太阳能电池的短路电流(J_(sc))达1.4 mA/cm^(2),电池光电转化效率达到了21.8%。这主要是由于p-a-SiC:H低的寄生吸收以及使用p-a-SiC:H窗口层降低了SHJ太阳能电池的反射损失所致。 展开更多
关键词 晶体硅异质结太阳能电池 p型非晶硅碳 时域有限差分法 寄生吸收
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从P-a-SiC:H到P-μc-Si:H过程中材料特性的变化 被引量:5
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作者 朱锋 赵颖 +4 位作者 张晓丹 孙建 魏长春 任慧智 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期152-155,共4页
采用RF PECVD方法,在P a SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获得本征微晶材料之后,再逐步增大硼掺杂浓度,得到P型微晶硅薄膜材料(暗电导率为5.22×10-3S/cm,光学... 采用RF PECVD方法,在P a SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获得本征微晶材料之后,再逐步增大硼掺杂浓度,得到P型微晶硅薄膜材料(暗电导率为5.22×10-3S/cm,光学带隙大于2.0eV)。在这个过程中可以明显观察到碳、硼抑制材料晶化的作用。 展开更多
关键词 微晶材料 微晶硅 非晶硅碳 光学带隙 电导率 太阳能电池
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温度和电场对a-SiC:HTFLED发光亮度的影响 被引量:2
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作者 周亚训 王晓东 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期71-72,F003,共3页
通过载流子注入和复合输运模型 ,分析比较了温度和电场对 pin注入型非晶硅碳薄膜发光二极管 (a -SiC :HTFLED)发光亮度的影响。分析表明发光有源i层内大电场尤其是大电流引起的高温度决定着大电流下二极管的发光亮度。
关键词 发光二极管 非晶硅碳薄膜 发光亮度 温度 电场
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用光学方法研究掺硼 a-Si_(1-x)C_x∶H 膜的隙态密度
10
作者 王印月 吴现成 陈光华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期343-346,共4页
用光透射法测得了 p-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜的隙态密度。对于与隙态有关的弱吸收区,利用 Mott-Davis 近似和隙态为高斯分布的假设,得到了远离平衡费米能级处的隙态分布。对于未掺杂和轻掺杂样品,隙态高斯分布的峰值 N(E_t)约为10^(18)/cm^... 用光透射法测得了 p-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜的隙态密度。对于与隙态有关的弱吸收区,利用 Mott-Davis 近似和隙态为高斯分布的假设,得到了远离平衡费米能级处的隙态分布。对于未掺杂和轻掺杂样品,隙态高斯分布的峰值 N(E_t)约为10^(18)/cm^3·eV 的数量级,随着掺 B 量的增加 N(E_t)也增大。 展开更多
关键词 P型 非晶硅碳氢膜 隙态密度 光吸收
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制备条件对反应溅射制备的a—SIC:H膜结构和特性的影响 被引量:1
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作者 王印月 王辉耀 《上海硅酸盐》 1995年第3期157-162,共6页
通过红外透射谱,可见-紫外透射反射谱和电导率的测量,研究制备条件(射频功率P和CH4流量比rc)对反应溅射法制备的a-Sic:H膜的结构和特性的影响。结果发现,当P=320W,rc=3.41%时,膜的质量较好:带尾较... 通过红外透射谱,可见-紫外透射反射谱和电导率的测量,研究制备条件(射频功率P和CH4流量比rc)对反应溅射法制备的a-Sic:H膜的结构和特性的影响。结果发现,当P=320W,rc=3.41%时,膜的质量较好:带尾较窄,膜中C成四配位,SiC键数目较多,Eopt〉2eV。对实验结果作了初步讨论。 展开更多
关键词 非晶硅碳 反应油射法 制备 射频功率
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光电子技术与器件 光能转换与器件
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《中国光学》 EI CAS 2007年第6期56-56,共1页
关键词 薄膜太阳电池 器件 光学干涉效应 光能转换 光电子技术 非晶硅碳薄膜 物理学报 窗口层 有机 激子
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Hybrid Silicon-Carbon Nanostructured Composites as Superior Anodes for Lithium Ion Batteries 被引量:9
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作者 Po-Chiang Chen Jing Xu +1 位作者 Haitian Chen Chongwu Zhou 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第3期290-296,共7页
We have successfully fabricated a hybrid silicon-carbon nanostructured composite with large area (about 25.5 in^2) in a simple fashion using a conventional sputtering system. When used as the anode in lithium ion ba... We have successfully fabricated a hybrid silicon-carbon nanostructured composite with large area (about 25.5 in^2) in a simple fashion using a conventional sputtering system. When used as the anode in lithium ion batteries, the uniformly deposited amorphous silicon (a-Si) works as the active material to store electrical energy, and the pre-coated carbon nanofibers (CNFs) serve as both the electron conducting pathway and a strain/stress relaxation layer for the sputtered a-Si layers during the intercalation process of lithium ions. As a result, the as-fabricated lithium ion batteries, with deposited a-Si thicknesses of 200 nm or 300 nm, not only exhibit a high specific capacity of 〉2000 mA.h/g, but also show a good capacity retention of over 80% and Coulombic efficiency of 〉98% after a large number of charge/discharge experiments. Our approach offers an efficient and scalable method to obtain silicon-carbon nanostructured composites for application in lithium ion batteries. 展开更多
关键词 Amorphous silicon carbon nanofibers lithium ion batteries hybrid nanostructured composite
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