非晶硅膜氮化动力学分析

在1200℃静态氮化非晶硅膜热重实验基础上,用回归分析方法,按气固相反应理论中几种控速模式,分析探讨了非晶硅氮化动力学模型,得到非晶硅氮化反应前期为界面化学反应控速、中期为界面化学反应与扩散混合控速、后期为扩散控速的三段控速模型,并获得有满意相关系数的氮化各期动力学曲线表达式.

交联极性固定相非晶硅膜改性弹性玻璃毛细管气相色谱柱的研制

交联FFAP极性固定相非晶硅膜改性弹性玻璃毛细管气相色谱柱是一种新柱型，具有技效高、化学惰性好、稳定性好、抗溶剂、抗腐蚀和耐高温等性能，本文报道了该新型色谱柱的制备及其性能研究。

交联XE－60和PEG－20M极性固定相非晶硅膜改性弹性玻璃毛细管柱研究

研究了交联ＸＥ－６０和ＰＥＧ－２０Ｍ极性固定相非晶硅膜改性弹性玻璃毛细管柱，在适当的温度下，用过氧化二异丙苯（ＤＣＵＰ）游离基引发交联，成功地制备了ＸＥ－６０和ＰＥＧ－２０Ｍ极性柱，它们均具有柱效高、惰性好、化学稳定性好和耐溶剂、抗腐蚀、耐高温等性能，是一种新型的极性交联柱。

几种制备非晶硅膜的CVD新技术

在介绍光—ＣＶＤ制备非晶硅膜的同时，简要介绍国外近几年报导的电子回旋共振微波等离子体低温ＣＶＤ（简称ＭＰＣＶＤ）、ＣＬＴ—ＣＶＤ。

Ar^+激光结晶非晶硅膜电学性质研究

本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar^+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相激光结晶膜(LP-LCR)的平均晶粒尺寸达数十微米,呈<111>择优取向,室温电导率为1.5(Ω·cm)^(-1),电子霍耳迁移率达36cm^2V^(-1)s^(-1),是一种有应用前景的薄膜.

TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究

本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响TFT的电学特性。建议采用独立的PECVD设备完成ITO膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积,并且对设备进行周期性清洗,可降低ITO成分的污染和提高产品的电学性能。

非晶硅多层膜中氢的核反应分析研究

本文利用8.42MeV窄共振核反应~1H(^(19)F,αv)^(16)O研究了辉光放电制备非晶硅多层膜中氢的深度分布、游动性及其随退火温度的关系。引进高斯分辨函数简化了数据处理过程,得到氢浓度随深度的分布情况,对氢污染及测氢标准进行了讨论。

非晶硅钝化膜的热稳定性及其在可控硅元件上的应用

实验报导了α-Si:H薄膜作为优质的硅器件钝化保护膜在可控硅元件上的应用.指出,它能大幅度提高元件的正反向击穿电压,改善温度特性,具有明显的经济效益.还指出,α-Si:H钝化膜能吸取c-Si界面上的杂质进一步促使硅器件的优化.本文还讨论了提高α-Si:H钝化保护膜热稳定性的途径.

非晶硅材料研究进展

介绍了非晶硅薄膜的结构特点和在光电应用方面具有的独特性能,给出了非晶硅器件和材料制备的研究现状。

氧、氮掺杂硅基薄膜的荧光光谱

采用磁控溅射法制备了氧、氮掺杂的非晶硅膜 ,测量了薄膜的荧光光谱 ,获得了包括红光、绿光、蓝光及紫光和紫外的强荧光发射 ,其荧光特性受氮、氧含量及沉积时基片温度的影响。结果表明 :红光包括起源于量子限制效应的宽带及氧缺陷能级引起的分立峰 ;绿光依赖于氮的掺杂 ,起源于氮的缺陷能级跃迁 ,其峰型和峰位受基片沉积温度的影响 ;蓝光部分表现为多个分立峰的叠加 ,起源于复杂的氧缺陷能级 ;紫光部分包括一对双峰和多个宽发射带 ,发射带的强度受掺杂种类、掺杂浓度及沉积时基片温度的影响。当基片温度为750℃、中等氧氮掺杂时 ,可获得强的绿光和紫光发射。

准分子激光诱导结晶硅膜的Raman光谱分析

采用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理 .对结晶膜的晶体质量进行了 Raman光谱表征 .研究表明 ,对于非扫描模式 ,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度 ,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化 .玻璃衬底与非晶硅膜之间的非晶氮化硅膜对非晶硅膜的晶化没有明显影响 .在 1 50～ 450 m J/cm2 ,结晶膜的结晶度随能量密度的增大而提高 .

用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度

本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情况,发现强光照后存在有光诱导缺陷态效应,文中还就该方法本身的优越性进行了讨论.

a-Si:H薄膜中氢退火行为IR谱研究

采用红外吸收(IR)谱法并借助于扫描电子显微镜(SEM)研究了掺氢非晶态硅(a-Si:H)薄膜(厚度0.5-4μm)中硅氢健(Si-H)的断裂和转化特性(SiH→SiH_2)以及氢逸出膜表面的机理。

气相色谱法测定薄膜中氢含量

本文介绍用气相色谱法测定氮化硅膜,非晶硅膜,氮化硼膜中的总氢含量及不同温度下氢的热释放率。该方法灵敏度高,简便准确可靠,样品量少,并且不需作特殊处理,可进行定量测定。

基板支撑梢对TFT栅界面SiN_x和a-Si成膜特性的影响

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢;对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢。并对成膜影响的机理进行了分析讨论。

用光学方法研究掺硼 a-Si_(1-x)C_x∶H 膜的隙态密度

用光透射法测得了 p-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜的隙态密度。对于与隙态有关的弱吸收区,利用 Mott-Davis 近似和隙态为高斯分布的假设,得到了远离平衡费米能级处的隙态分布。对于未掺杂和轻掺杂样品,隙态高斯分布的峰值 N(E_t)约为10^(18)/cm^3·eV 的数量级,随着掺 B 量的增加 N(E_t)也增大。

AM混合相Si:P:H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH_4/PH_3混合气体的高频辉光放电法,在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性,并对样品作了高温退火试验。应用x射线衍射和红外吸收,对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明,所淀积的是一种微晶——非晶混合相掺P氢化非晶硅膜(AM-Si:P:H),这种膜具有良好的光电性能,较高的掺杂效率。经退火后,光电性能有所改善,是P-i-n太阳能电池所希望的n^+材料。

制备条件对反应溅射制备的a—SIC：H膜结构和特性的影响

通过红外透射谱，可见－紫外透射反射谱和电导率的测量，研究制备条件（射频功率Ｐ和ＣＨ４流量比ｒｃ）对反应溅射法制备的ａ－Ｓｉｃ：Ｈ膜的结构和特性的影响。结果发现，当Ｐ＝３２０Ｗ，ｒｃ＝３．４１％时，膜的质量较好：带尾较窄，膜中Ｃ成四配位，ＳｉＣ键数目较多，Ｅｏｐｔ〉２ｅＶ。对实验结果作了初步讨论。

a-Si:H^+太阳电池的电调制反射谱测量

本文报道了用电调制反射(ER)谱技术测量a-Si太阳电池中非晶硅膜的禁带宽度E_g和厚度均匀性的结果。该技术简单,测量灵敏度和分辨率高,并可直接对成品电池进行测量,无需专门加工样品。另外,ER谱只与a-Si膜的性质有关,不受玻璃和ITO膜的影响。