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非晶硅薄膜电池应用及前景分析 被引量:8
1
作者 张旭鹏 杨胜文 张金玲 《光源与照明》 2010年第1期39-41,共3页
通过详细阐述非晶硅薄膜电池的结构和优点,论证了非晶硅薄膜电池具有的广阔应用前景,尤其在遮阳、中空光伏组件中的应用具有明显的优势,其对可再生能源的发展有着积极的推动作用。
关键词 太阳能电池 非晶硅薄膜电池 光伏应用 遮阳 中空光伏组件
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非晶硅薄膜电池组件的接地设计 被引量:2
2
作者 石巍 张彦昌 《电力与能源》 2013年第4期405-407,共3页
非晶硅薄膜电池的负极接地设计在光伏系统的设计中很重要。根据非晶硅薄膜电池的特点,从漏电流和透明导电氧化物(TCO)腐蚀等方面,分析了非晶硅薄膜电池负极接地的主要原因,着重讨论了非晶硅薄膜电池负极接地的接地点选择、接地方式选择... 非晶硅薄膜电池的负极接地设计在光伏系统的设计中很重要。根据非晶硅薄膜电池的特点,从漏电流和透明导电氧化物(TCO)腐蚀等方面,分析了非晶硅薄膜电池负极接地的主要原因,着重讨论了非晶硅薄膜电池负极接地的接地点选择、接地方式选择和对逆变器的要求等不同的设计方案。建议将接地点选择在逆变器的负极位置,最好采用带工频隔离变压器的逆变器或带高频变压器的逆变器。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜电池 负极接地 逆变器
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非晶硅薄膜电池组件的接地设计探讨
3
作者 石巍 张彦昌 《电气应用》 2015年第2期80-82,共3页
根据非晶硅薄膜电池的特点,分析了非晶硅薄膜电池负极接地的原因。并讨论了接地点选择、接地方式选择和对逆变器的要求等不同的设计方案。
关键词 非晶硅薄膜电池 负极接地
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非晶硅薄膜电池的历史、现状和发展中的主要问题 被引量:13
4
作者 赵雨 孙煜 《能源技术》 2009年第6期335-337,共3页
对非晶硅薄膜太阳能电池的历史和现状进行了总结,指出了目前非晶硅薄膜太阳能电池存在的主要问题是转换效率低和严重的光致衰减效应,对解决这些问题的一些技术进行了探讨,认为非晶硅薄膜太阳能电池有很大的发展潜力,将与晶体硅和其他新... 对非晶硅薄膜太阳能电池的历史和现状进行了总结,指出了目前非晶硅薄膜太阳能电池存在的主要问题是转换效率低和严重的光致衰减效应,对解决这些问题的一些技术进行了探讨,认为非晶硅薄膜太阳能电池有很大的发展潜力,将与晶体硅和其他新兴太阳能电池三分天下。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜太阳能电池 转换效率 光致衰减
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非晶硅薄膜电池充电器的制作
5
作者 李海波 汪世林 +1 位作者 赵建兴 涂帅 《安阳工学院学报》 2014年第2期7-10,共4页
利用廉价的普通开关电源型电动车充电器,制作了一个满足使用要求的非晶硅薄膜充电器,实现了用一块非晶硅薄膜电池板来建立一个小型的离线光伏发电系统。该系统简单可靠,经济实用。
关键词 非晶硅薄膜电池 光伏发电系统 充电器 开关电源 电池
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我国第五代大面积非晶硅薄膜电池率先实现量产
6
作者 唐逾 《功能材料信息》 2009年第3期40-40,共1页
据报道,国内薄膜太阳能电池领军企业强生光电近日在沪宣布,第五代大面积非晶硅薄膜电池率先在该公司投入批量生产。据介绍,非晶硅薄膜电池因其沉积均匀度要求高,面积越大,成本越低,但设备及工艺要求也越高。
关键词 非晶硅薄膜电池 第五代 批量生产 成批生产 大面积
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非晶硅薄膜太阳能电池分析与研究 被引量:2
7
作者 张仁霖 《安徽电子信息职业技术学院学报》 2021年第2期27-30,共4页
介绍了非晶硅薄膜太阳能电池的基本特点和光学特性;重点分析了非晶硅薄膜材料的制备方法,最后对非晶硅薄膜太阳能电池组件制备工艺进行了阐述。
关键词 非晶硅薄膜电池 光学特性 吸收区 制备方法
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氢退火的BZO前电极对非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响 被引量:1
8
作者 唐鹿 薛飞 +4 位作者 郭鹏 罗哲 李旺 李晓敏 刘石勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期838-843,共6页
采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显... 采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显著提高,这使得BZO薄膜的导电能力提高;当采用厚度较小、透光率较高的BZO薄膜进行氢退火后作为前电极结构时,非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流密度提高0.3~0.4mA/cm^2,电池的转化效率提高0.2%。实验结果可为通过优化前电极结构来提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率提供一种简易的方法。 展开更多
关键词 BZO薄膜 前电极 透光率 非晶硅薄膜太阳能电池 转化效率
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非晶硅薄膜太阳能电池自动装箱机的研制 被引量:1
9
作者 吴明亮 郑金松 余淑荣 《机床与液压》 北大核心 2013年第20期10-12,共3页
国内现有的非晶硅薄膜太阳能电池的生产线,除了封装入箱之外已经完全实现自动化。目前装箱工作由人工完成,劳动强度大、成本高。为了实现自动化,降低成本,通过分析装箱的工艺流程,设计出一种全自动装箱机。该机由伺服电机和气缸驱动,PL... 国内现有的非晶硅薄膜太阳能电池的生产线,除了封装入箱之外已经完全实现自动化。目前装箱工作由人工完成,劳动强度大、成本高。为了实现自动化,降低成本,通过分析装箱的工艺流程,设计出一种全自动装箱机。该机由伺服电机和气缸驱动,PLC控制,将装箱工作的3个动作分3个工位完成,运用机电一体化技术,将繁重的人工装箱改进为全自动机械装箱,节约了人力,降低了生产成本。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜太阳能电池 自动装箱 机电一体化
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非晶硅薄膜太阳能电池生产简述 被引量:3
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作者 卢志安 迟晓红 赵国华 《玻璃》 2008年第12期49-51,共3页
简述了非晶硅薄膜太阳能电池基本原理,论述了采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术生产非晶硅薄膜太阳能电池的工艺、产品性能参数及研究发展方向。
关键词 非晶硅薄膜太阳能电池 PECVD a—Si
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非晶硅薄膜太阳能电池热模型的模拟与实验研究
11
作者 胡建辉 陈务军 +3 位作者 赵兵 胡鹏宇 葛彬彬 宋浩 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期436-441,共6页
为了研究柔性非晶硅薄膜太阳能电池(a-Si PV)在晴和多云天气下的温度值,基于能量守恒法建立了a-Si PV的光热模型,考察了各部分参数取值,编写了微分方程的求解程序,并设计研制了一套实验模型进行验证.实验结果表明:a-Si PV电池的温度受... 为了研究柔性非晶硅薄膜太阳能电池(a-Si PV)在晴和多云天气下的温度值,基于能量守恒法建立了a-Si PV的光热模型,考察了各部分参数取值,编写了微分方程的求解程序,并设计研制了一套实验模型进行验证.实验结果表明:a-Si PV电池的温度受日照辐射强度的影响最为显著;安装角度和环境温度也在一定程度上影响a-Si PV的温度值;晴天时的温差大于多云天气下的温差.实测值与模拟值对比表明:该模型可以准确模拟PV温度在晴和多云天气下的变化;数值结果与实验结果最大差值为3.9°C,主要原因是多云天气日照辐射强度的波动性和PV材料热容引起的热响应时滞.建立的a-Si PV热模型考虑了主要的影响因素,可较为准确地得到在晴和多云天气下的温度变化. 展开更多
关键词 柔性非晶硅薄膜太阳能电池 热模型 温度
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非晶硅薄膜太阳能电池及生产设备技术发展现状与趋势 被引量:11
12
作者 赵志明 《科技情报开发与经济》 2009年第34期136-137,140,共3页
介绍了非晶硅薄膜太阳能电池和支撑设备的技术发展现状和市场情况,针对我国薄膜太阳能电池产业的需求情况,探讨了发展薄膜太阳能电池产业的途径。
关键词 非晶硅薄膜太阳能电池 制备技术 工艺流程
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非晶硅薄膜太阳能电池激光除边工艺研究
13
作者 王中 何里 卢飞星 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期160-162,共3页
为了解决在非晶硅薄膜太阳能电池的制备中,喷砂除边工序存在污染大、加工一致性不佳等问题,使用1064nm脉冲光纤激光器,在加工速率3500mm/s、功率30W、重复频率80kHz、填充线间距0.05mm的参量下,完成了激光除边,获得了清除区电阻大于1000... 为了解决在非晶硅薄膜太阳能电池的制备中,喷砂除边工序存在污染大、加工一致性不佳等问题,使用1064nm脉冲光纤激光器,在加工速率3500mm/s、功率30W、重复频率80kHz、填充线间距0.05mm的参量下,完成了激光除边,获得了清除区电阻大于1000MΩ的样品。根据实验效果确定了最佳光斑交叠比,x和y方向的最佳比值分别为0.83和0.88。结果表明,激光功率足够时,光斑交叠情况会明显影响除边的效率和效果,扫描速率应与重复频率和填充线间距匹配,从而在最佳效率下获得理想的加工效果。 展开更多
关键词 激光技术 非晶硅薄膜太阳能电池 激光除边 脉冲光纤激光器 光斑交叠比
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ITO/BZO复合薄膜制备及在非晶硅薄膜太阳能电池的应用 被引量:6
14
作者 黄建华 刘怀周 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期515-519,共5页
采用低压化学气相沉积(LPCVD)法在沉积ITO薄膜的玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(BZO)薄膜,研究了ITO缓冲层对ITO/BZO复合薄膜表观形貌、导电性能和光学性能的影响;并研究了ITO/BZO薄膜在非晶硅薄膜太阳能电池的应用。结果表明,以ITO作为... 采用低压化学气相沉积(LPCVD)法在沉积ITO薄膜的玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(BZO)薄膜,研究了ITO缓冲层对ITO/BZO复合薄膜表观形貌、导电性能和光学性能的影响;并研究了ITO/BZO薄膜在非晶硅薄膜太阳能电池的应用。结果表明,以ITO作为缓冲层来沉积BZO薄膜,有利于BZO晶粒尺寸的长大,并可以显著提高BZO薄膜的导电能力。ITO/BZO复合薄膜具有相对较高的导电能力和光学透光率,应用在非晶硅薄膜太阳能电池时转化效率提高0.20%。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 硼掺杂氧化锌 复合薄膜 低压化学沉积 非晶硅薄膜太阳能电池
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一个非晶硅薄膜太阳能电池制备用激光刻线系统 被引量:3
15
作者 肖光辉 覃海 +3 位作者 蓝劾 叶健 杨明生 潘龙法 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1016-1021,共6页
非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30μm~50μm之间,死区范围小于300μm,刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深。设计了单激光器四... 非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30μm~50μm之间,死区范围小于300μm,刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深。设计了单激光器四分光路的激光刻线系统。采用设计的激光刻线装置,在1 400mm×1 100mm×3.2mm玻璃基板上进行刻线试验,分别得到刻线P1,P2,P3的线宽为35μm,50μm和45μm,死区范围(P1至P3的距离)为287μm,最终深度分别为0.98μm,0.24μm和0.58μm,刻线宽度和深度均符合薄膜太阳能电池制备工艺要求。 展开更多
关键词 激光刻线系统 非晶硅薄膜太阳能电池 刻线
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激光设备在非晶硅薄膜太阳能电池生产线中的应用 被引量:1
16
作者 常温 文亦武 《能源与节能》 2011年第5期19-20,共2页
激光设备是太阳能生产线中的关键设备之一,叙述了激光设备在非晶硅薄膜太阳能电池生产线,指出,稳定、精确是激光刻划设备今后的重点发展方向。
关键词 激光设备 TCO薄膜 PECVD 非晶硅薄膜太阳能电池
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柔性非晶硅薄膜太阳能电池组件与光伏建筑一体化 被引量:8
17
作者 董磊 《中国建筑防水》 2010年第22期43-46,共4页
介绍了光伏建筑一体化体系的发展历程,详细叙述了柔性非晶硅薄膜光伏组件的特点和优势,并简单介绍了该类产品的应用情况。
关键词 柔性非晶硅薄膜太阳能电池 光伏建筑一体化 设计 应用
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非晶硅薄膜太阳能电池生产过程及关键设备介绍 被引量:2
18
作者 杜容熠 《科技风》 2011年第24期31-32,34,共3页
简述了非晶硅薄膜太阳能电池的基本原理和生产工艺,特别介绍了等离子化学气相沉积(PECVD)反应沉积室四种结构和特点,以及非晶硅薄膜电池生产设备的特点,以及未来发展方向。
关键词 非晶硅薄膜太阳能电池 镀膜技术 等离子化学气相沉积(PECVD) 工艺流程 反应沉积室
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非晶硅薄膜太阳能电池生产的环境影响分析 被引量:1
19
作者 田明明 毛龙满 +2 位作者 张志杰 陈小兰 杨励君 《科技信息》 2010年第22期316-317,319,共3页
本文通过对PECVD工艺生产非晶硅薄膜太阳能电池的介绍,分析了非晶硅薄膜太阳能电池生产过程中的产污节点及其对环境的影响,提出了减缓环境影响的措施。非晶硅薄膜太阳能电池生产过程产生的污染主要为PECVD工艺尾气,通过采用国际先进的... 本文通过对PECVD工艺生产非晶硅薄膜太阳能电池的介绍,分析了非晶硅薄膜太阳能电池生产过程中的产污节点及其对环境的影响,提出了减缓环境影响的措施。非晶硅薄膜太阳能电池生产过程产生的污染主要为PECVD工艺尾气,通过采用国际先进的治理措施,可有效地降低对周围环境的影响。 展开更多
关键词 PECVD 非晶硅薄膜太阳能电池 环境影响分析
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基于1/f噪声表征研究非晶硅薄膜太阳电池的光致退化机理
20
作者 程基宽 胡林娜 +3 位作者 何亮 郭永刚 宋志成 屈小勇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期230-233,共4页
太阳电池的可靠性是决定光伏产品性能与寿命的关键因素,研究表明太阳电池在实际应用过程中的各种退化与可靠性问题都与电池中的缺陷性质密切相关。该文选用1/f噪声对非晶硅薄膜太阳电池中缺陷性质进行表征研究,结果表明非晶硅电池中1/f... 太阳电池的可靠性是决定光伏产品性能与寿命的关键因素,研究表明太阳电池在实际应用过程中的各种退化与可靠性问题都与电池中的缺陷性质密切相关。该文选用1/f噪声对非晶硅薄膜太阳电池中缺陷性质进行表征研究,结果表明非晶硅电池中1/f噪声是由带尾态缺陷导致的载流子迁移率涨落所致;通过噪声模型,分析了缺陷在光致衰减(LID)过程中所起的作用;同时与常规电学参量的对比,验证了噪声在表征LID过程中的有效性与灵敏性。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜太阳电池 带尾态缺陷 光致衰减 1/f噪声
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