不同试验条件对非晶硒薄膜中载流子迁移率的影响

非晶态硒(α-Se)属于无机弱电导材料,被认为是X射线医学成像和无损检测方面最有前途的探测材料之一,其载流子特性对应用至关重要。本文在恒温条件下制备了非晶态硒本征薄膜,利用SEM、XRD测试了薄膜的微观形貌和晶体结构,利用渡越时间(TOF)方法研究了温度、取样电阻及光脉冲能量对载流子迁移率的影响。结果表明:在298~338K的温度范围内,非晶硒的载流子输运规律符合浅陷阱模型;取样电阻不大于5 kΩ,光脉冲能量不大于3.5μJ时,载流子渡越时间保持恒定,测试结果可靠。

非晶态Se薄膜的自发晶化研究

利用真空热蒸镀的方法制备了非晶Se薄膜 ,测试了稳定的非晶Se薄膜、不稳定的非晶Se薄膜和初始自发晶化的非晶Se薄膜的透射率光谱和拉曼光谱。对透射率光谱曲线进行了拟合 ,计算了薄膜的厚度和折射率随波长的变化关系。在自发晶化过程中 ,Se薄膜折射率逐渐增大 ;随波长增大 ,折射率则减小。初始自发晶化的Se薄膜其透射率低于非晶Se薄膜 ,光学吸收边向长波长方向移动。拉曼光谱测试表明 ,非晶Se薄膜在自发晶化过程中 ,出现标志Se8环和链的结构 ,不完整的环和链结构在自发晶化过程中得到了增强。