非晶硫系玻璃半导体Ge(S,Se)_2薄膜的光致效应

报道了GeS_2和GeSe_2非晶半导体薄膜经过光照后,薄膜的光学透射边均出现绿移,这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的,即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置.通过透射电子显微镜测试,在光照后的GeS_2和GeSe_2薄膜中观察到光致结晶现象.利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料.

硫系非晶半导体薄膜中的超快光Kerr效应

利用飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE)技术研究了As2S3,As2Se3,GeS2,GeSe2,Ge20 As25S55,Ge20 As25Se55,Ge10 As40S20Se30七个体系硫系非晶态半导体薄膜的三阶非线性性能,结果表明硫系非晶态半导体薄膜具有较大的三阶非线性极化率χ(3)值(达10-12esu),非线性响应时间很快(小于200fs).并根据测量结果计算出了薄膜的非线性折射率和吸收.硫系非晶半导体薄膜中较大的非线性极化率值的出现是由于核外电子轨道的非线性扭曲所致.

硫系非晶半导体薄膜的光致效应

采用热蒸镀膜方法,在制备出As_2S_3、As_2Se_3、GeS_2、GeSe_2、Ge_(20)As_(25)S_(55)、Ge_(20)As_(25)Se_(55)和Ge_(10)As_(40)S_(20)Se_(30)七个体系硫系非晶态半导体薄膜的基础上,运用X射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜和吸收或透射光谱等测试手段,系统地探讨了薄膜在氩离子激光辐照作用下的光致暗化、光致漂白和光致结晶等光致效应及机理。在As_2S_3、As_2Se_3和Ge_(10)As_(40)S_(20)Se_(30)薄膜中观察到明显的光致暗化效应,而在GeS_2、GeSe_2、Ge_(20)As_(25)S_(55)和Ge_(20)As_(25)Se_(55)薄膜中则观察到明显的光致漂泊效应。经氩离子激光辐照后,在薄膜中均观察到明显的光致结晶现象。