基底预处理对非晶碳/Mo_2C复合薄膜场发射性能的影响

利用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)技术在镀有过渡层金属Mo的Al2O3陶瓷基底上制备了非晶碳/Mo2C复合薄膜,研究了基底预处理对所制备薄膜的场发射特性的影响。结果表明,在同一条件下利用金刚砂研磨处理的样品具有比较好的场发射特性,利用W20金刚砂处理后制备的样品具有最好的场发射特性,其开启电场低(0.74 V/μm),同一电场(2.59 V/μm)下场发射电流密度最大(12.7 A/cm2)而且发光点分布均匀。