采用 Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶 Si Ge薄膜 .通过 X射线衍射 (XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶 Si Ge薄膜特性进行了表征 ,并对退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶的影响进行了研究 .研究表明 Ni...采用 Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶 Si Ge薄膜 .通过 X射线衍射 (XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶 Si Ge薄膜特性进行了表征 ,并对退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶的影响进行了研究 .研究表明 Ni的参与可以显著降低非晶 Si Ge薄膜的结晶时间以及结晶温度 ;退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶有明显阻碍作用 ;采用先在高纯 N2 (99.99% )气氛下快速热退火 (RTA)预处理 ,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶 Si展开更多
文摘采用 Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶 Si Ge薄膜 .通过 X射线衍射 (XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶 Si Ge薄膜特性进行了表征 ,并对退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶的影响进行了研究 .研究表明 Ni的参与可以显著降低非晶 Si Ge薄膜的结晶时间以及结晶温度 ;退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶有明显阻碍作用 ;采用先在高纯 N2 (99.99% )气氛下快速热退火 (RTA)预处理 ,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶 Si
