半导体量子点非本征吸收区的三阶极化率

通过变分法计算了量子点激子基态能量和偶极跃迁振子强度,分析了半导体量子点在非本征吸收区的三阶极化率.量子点中激子的基态能量随量子点半径的增大而单调减小,这是量子尺寸效应的反映;量子点中由基态到激子基态的跃迁振子强度,随量子点半径的增大而单调增大;在弱受限量子点情况下,三阶极化率的实部和虚部都是负的,对应于非线性光学自散焦效应,其绝对值随入射光频率的增加而增加,且随量子点半径的增大而增大.

用非本征吸收区的透射系数研究CdSeS量子点玻璃的非线性系数

通过CdSeS量子点玻璃在非本征吸收区的透射系数,研究CdSeS量子点玻璃的非线性光学系数与量子点半径的关系。实验测量了嵌有不同尺寸CdSeS量子点玻璃的吸收光谱,在非本征吸收区量子点玻璃的透射系数随量子点半径的增大,先增大后减小;理论分析了半导体量子点玻璃非本征吸收区透射系数与非线性光学系数之间的关系;实验与理论相结合,建立了非本征吸收区透射系数与非线性光学系数之间的联系。研究分析了CdSeS量子点玻璃的非线性光学系数随量子点半径的变化,得到CdSeS量子点玻璃在非本征吸收区的非线性光学系数随量子点半径的增大,先减小后增大的结果。

用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究

报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1064nmNd:YAG激光触发开关,在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验,得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形。结果表明,半绝缘GaAs光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲。

光学材料 光学玻璃

TQ171.112 2004053846 用非本征吸收区的透射系数研究CdSeS量子点玻璃的非线性系数=Nonlinear optical coefficient of CdSeS QD glass studied by tratlsrlllssion coefficient[刊,中]/李永升(北京师范大学物理系,北京(100875))。田强∥光学技术。—2004,30(1)。