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γ-LiAlO_2衬底上生长GaN的研究进展
被引量：
2
1
作者
黄涛华
邹军
+3 位作者
周健华
王军
张连翰
周圣明
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2006年第12期36-41,共6页
γ-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合γ-LiAlO2的基本性质,详细介绍了γ-LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展。
关键词
GAN薄膜
γ-LiAlO2
非极性发光二极管
原文传递
题名
γ-LiAlO_2衬底上生长GaN的研究进展
被引量：
2
1
作者
黄涛华
邹军
周健华
王军
张连翰
周圣明
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2006年第12期36-41,共6页
基金
上海市浦江计划(05PJ14100)
中科院百人计划资助项目。
文摘
γ-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合γ-LiAlO2的基本性质,详细介绍了γ-LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展。
关键词
GAN薄膜
γ-LiAlO2
非极性发光二极管
Keywords
GaNfilm
γ-LiAlO2
nonpolar LED
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
γ-LiAlO_2衬底上生长GaN的研究进展
黄涛华
邹军
周健华
王军
张连翰
周圣明
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2006
2
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