不同钝化结构对非极性AlGaN-MSM紫外探测器性能的提升

在r面蓝宝石衬底上,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法高温生长了未掺杂非极性AlGaN半导体薄膜,在此基础上制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外探测器。系统研究了在AlGaN半导体薄膜表面分别磁控溅射SiO_2纳米颗粒与SiO_2钝化层两种钝化手段对非极性AlGaN-MSM结构的紫外探测器性能的影响。实验结果表明:磁控溅射SiO_2纳米颗粒钝化或SiO_2钝化层两种手段都能提升AlGaN-MSM结构紫外探测器性能。暗电流测试表明,SiO_2纳米颗粒和SiO_2钝化层可使器件暗电流下降1~2个数量级,达到n A量级。光谱响应测试发现,在5 V偏压下,探测器在300 nm处具有陡峭的截止边,这表明其具有很好的深紫外特性,光谱响应提高了103倍,紫外可见抑制比高达105。