ZnO压敏电阻器非欧姆特性的分析

本文对压敏电阻的非欧姆特性做了一定分析． ＺｎＯ压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区，利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电阻器的非欧姆特性，

压敏电阻非欧姆特性的研究

本文对压敏电阻的非欧姆特性做了一定分析.Zno压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区,利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电阻器的非欧姆特性.

掺杂Y2O3制备高非线性和低泄漏电流的SnO2压敏电陶瓷

SnO2压敏陶瓷是一种新型的高非线性、高梯度压敏陶瓷。它在酸性和碱性环境中都有良好的稳定性,这使得它非常适合户外工作。但目前SnO2压敏电阻的综合性能还不能与主流的ZnO压敏电阻相媲美,特别是在非欧姆特性方面还需要更进一步提高。在以SnO2·CoO·Nb2O5·Cr2O3的基础配方上通过添加不同含量的Y2O3,用传统工艺烧结来探究综合性能更加优异的SnO2压敏电阻。并通过对样品进行扫描电镜(SEM)、电流-电压(E-J)、电容-电压(C-V)、X射线衍射等的测量,研究SnO2压敏电阻电学特性的形成机理。结果表明,当加入0.02mol%Y2O3时,样品的电学性能最好(电压梯度为763V/mm,漏电流为10.31μA/cm^2,非线性系数为47.5)。本研究对探索高非线性、低泄漏电流的SnO2变阻器具有重要的参考价值。

多层片式ZnO压敏电阻器研究进展

叙述了片式ZnO压敏电阻器的特点,以及ZnO-V_2O_5系、ZnO-玻璃系两种新型压敏电阻材料的近期研究成果,提出了片式压敏电阻今后的主要研究万向。