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金属栅功函数变异对纳米MOSFET模拟/射频性能影响的统计分析
被引量:
1
1
作者
薛佳帆
戴良
+1 位作者
陈霖凯
吕伟锋
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第11期2159-2163,共5页
当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显著减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这...
当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显著减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这些性能参数包括栅电容、跨导、截止频率和跨导效率.经HSPICE仿真分析结果表明:上述参数均受WFV影响产生随机波动现象,且参数变化相对标准偏差对栅电压非常敏感;从统计分布看,模拟/射频性能参数受WFV影响均偏离正态分布,但其概率统计特性却各有差异.
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关键词
纳米NMOS器件
功函数变异
模拟/射频性能
非正态统计分布
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职称材料
题名
金属栅功函数变异对纳米MOSFET模拟/射频性能影响的统计分析
被引量:
1
1
作者
薛佳帆
戴良
陈霖凯
吕伟锋
机构
杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室
出处
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第11期2159-2163,共5页
基金
国家自然科学基金(61571171
61331006
+2 种基金
61302009
61771076)
浙江省自然科学基金(LY18F04005)
文摘
当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显著减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这些性能参数包括栅电容、跨导、截止频率和跨导效率.经HSPICE仿真分析结果表明:上述参数均受WFV影响产生随机波动现象,且参数变化相对标准偏差对栅电压非常敏感;从统计分布看,模拟/射频性能参数受WFV影响均偏离正态分布,但其概率统计特性却各有差异.
关键词
纳米NMOS器件
功函数变异
模拟/射频性能
非正态统计分布
Keywords
nanometer NMOS devices
work function variation
analog/RF performance
statistical analysis
分类号
TP386 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属栅功函数变异对纳米MOSFET模拟/射频性能影响的统计分析
薛佳帆
戴良
陈霖凯
吕伟锋
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2018
1
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职称材料
已选择
0
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导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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