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XPS在测量薄膜样品中的应用——一种非破坏性XPS深度剖析测量
1
作者
吴正龙
《现代仪器使用与维修》
1998年第3期41-43,共3页
通过改变XPS探测掠角,对硅表面的氧化层和富锗氧化硅表层薄膜样品进行非破坏性深度剖析测量,得到了有意义的结果。本文详细介绍了这一原理,并对这一分析方法的深度分辨等进行了讨论,为进行其它类型的薄膜XPS深度剖析测试提供了借鉴。
关键词
非破坏性xps深度剖析
氧化硅
富锗氧化硅
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职称材料
题名
XPS在测量薄膜样品中的应用——一种非破坏性XPS深度剖析测量
1
作者
吴正龙
机构
北京师范大学分析测试中心
出处
《现代仪器使用与维修》
1998年第3期41-43,共3页
文摘
通过改变XPS探测掠角,对硅表面的氧化层和富锗氧化硅表层薄膜样品进行非破坏性深度剖析测量,得到了有意义的结果。本文详细介绍了这一原理,并对这一分析方法的深度分辨等进行了讨论,为进行其它类型的薄膜XPS深度剖析测试提供了借鉴。
关键词
非破坏性xps深度剖析
氧化硅
富锗氧化硅
Keywords
non-destructive depth profiling thin film silica germanium-rich silica
分类号
TH744.401 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
XPS在测量薄膜样品中的应用——一种非破坏性XPS深度剖析测量
吴正龙
《现代仪器使用与维修》
1998
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