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非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展 被引量:3
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作者 卓世异 刘学超 +3 位作者 熊泽 陈之战 杨建华 施尔畏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期1048-1052,共5页
ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点。传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系。而且理论计算和实验方面已经报... ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点。传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系。而且理论计算和实验方面已经报道了室温以上的铁磁性。本文从实验上和理论上综述了非磁性元素掺杂ZnO基稀磁半导体最近的研究进展。 展开更多
关键词 稀磁半导体 ZNO 非磁性元素掺杂 室温铁磁性
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