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非磁金属中间层对磁性隧道结磁电阻效应的影响
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作者 梁雪飞 杨渭 《青岛大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第4期28-31,共4页
用自由电子近似方法对具有非磁金属中间层的磁性隧道结的磁电阻进行了研究,从理论上讨论了非磁金属中间层对磁电阻的影响。数值计算结果表明,当外加偏压不同时非磁金属中间层的作用是不同的。在外加电压使电子从非磁金属中间层穿过势垒... 用自由电子近似方法对具有非磁金属中间层的磁性隧道结的磁电阻进行了研究,从理论上讨论了非磁金属中间层对磁电阻的影响。数值计算结果表明,当外加偏压不同时非磁金属中间层的作用是不同的。在外加电压使电子从非磁金属中间层穿过势垒的情况下,非磁金属中间层的变厚可以增强隧穿磁电阻效应。这一性质可以用于磁性隧道结的优化。 展开更多
关键词 非磁金属 性隧道结 电阻效应 自旋极化 自由电子近似 势垒隧穿 偏置电压
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NiFe/非磁金属隔离层/FeMn薄膜中的微结构及其对交换耦合的影响 被引量:1
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作者 李明华 于广华 +2 位作者 朱逢吾 何珂 赖武彦 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2003年第11期961-968,共8页
采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/非磁金属隔离层/FeMn多层膜,研究了交换耦合场Hex相对于非磁金属隔离层厚度的变化关系.实验结果表明:随非磁金属隔离层厚度的增加,以Bi和Ag为隔离层的Hex薄膜急剧下降,以Cu为隔离层的薄膜的Hex下降较缓慢... 采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/非磁金属隔离层/FeMn多层膜,研究了交换耦合场Hex相对于非磁金属隔离层厚度的变化关系.实验结果表明:随非磁金属隔离层厚度的增加,以Bi和Ag为隔离层的Hex薄膜急剧下降,以Cu为隔离层的薄膜的Hex下降较缓慢.对Cu而言,它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同且晶格常数相近,Cu层以及FeMn层都可以相继外延生长,FeMn层的(111)织构不会受到破坏,因此,Hex随Cu沉积厚度增加缓慢下降.对Ag而言,虽然它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同,但晶格常数相差较大,Ag层以及FeMn层都不可能外延生长,FeMn层的织构将会受到破坏,Hex随Ag沉积厚度增加迅速下降.对Bi而言,不仅它的晶体结构与NiFe层的不同,而且晶格常数相差也较大,同样,Bi层以及FeMn层也不可能外延生长,FeMn层的织构也会受到破坏,因此,Hex也随Bi沉积厚度增加迅速下降.但是,X射线光电子能谱研究表明:极少量的表面活化原子Bi沉积在NiFe/FeMn界面时,会上浮到FeMn层表面,因而Hex下降很少. 展开更多
关键词 NIFE FeMn薄膜 非磁金属隔离层 交换耦合场Hex 晶格匹配 X射线衍射 控溅射 薄膜结构
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非接触金属磁记忆检测在长输油气管道上的应用 被引量:3
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作者 曹航 高倩钰 +3 位作者 王真 张晓虎 古家兴 刘媛媛 《全面腐蚀控制》 2021年第10期7-14,共8页
许多长输埋地的油气管道因为其结构特征或者是在敷设使用环境复杂的限制,无法进行管道内部的检测,缺少一套经济有效的检测技术手段来判断埋地管道的应力集中所在位置及其应力集中的程度。因此,本文提出一种有效的无损检测技术--金属磁... 许多长输埋地的油气管道因为其结构特征或者是在敷设使用环境复杂的限制,无法进行管道内部的检测,缺少一套经济有效的检测技术手段来判断埋地管道的应力集中所在位置及其应力集中的程度。因此,本文提出一种有效的无损检测技术--金属磁记忆检测技术用于检测长输埋地油气管道的应力集中所在位置及应力集中程度,并在华北某长输石油管道利用非接触式金属磁记忆检测排查管道应力集中区域,然后结合管道外检测数据对应力集中严重管段进行开挖验证,取得了良好的应用效果。结果明确了金属磁记忆检测技术能够满足长输埋地油气管道应力集中程度检测的需要,具有良好的推广价值。 展开更多
关键词 接触金属记忆检测 长输油气管道 无损检测 应力集中
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浅谈埋地金属管道磁记忆检测技术
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作者 王刚 《化工管理》 2017年第17期145-145,共1页
本文通过对我厂埋地管道现状及近三年腐蚀状况的调查分析,提出现有埋地金属管道检测技术的不足。通过研究国内、外新型检测技术,拟定研发方向,介绍研发非接触金属磁记忆检测技术基本情况,简述各研发阶段及解决遇到技术难题,规划新型检... 本文通过对我厂埋地管道现状及近三年腐蚀状况的调查分析,提出现有埋地金属管道检测技术的不足。通过研究国内、外新型检测技术,拟定研发方向,介绍研发非接触金属磁记忆检测技术基本情况,简述各研发阶段及解决遇到技术难题,规划新型检测技术下一步研发方向,综合应用新型检测技术,利用评估系统对全厂埋地管道腐蚀状况进行全面真实反映,为规划立项提供可靠依据。 展开更多
关键词 腐蚀状况 新型检测技术 接触金属记忆检测
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具有有限铁磁层厚度的磁性双隧道结中的隧穿电导和磁电阻 被引量:6
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作者 谢征微 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2003年第5期494-497,共4页
在FM/I/NM/I/FM磁性双隧道结研究的基础上,进一步考虑了外加有限厚的非磁金属(NM)覆盖层的情况,这时磁性双隧道结的结构变为NM/FM/I/NM/I/FM/NM.此处,FM、I和内NM都具有有限厚度,而在理论处理中,外NM被看做是无限厚的.对FM厚度于磁性双... 在FM/I/NM/I/FM磁性双隧道结研究的基础上,进一步考虑了外加有限厚的非磁金属(NM)覆盖层的情况,这时磁性双隧道结的结构变为NM/FM/I/NM/I/FM/NM.此处,FM、I和内NM都具有有限厚度,而在理论处理中,外NM被看做是无限厚的.对FM厚度于磁性双隧道结中自旋极化电子输运性质(特别是隧穿磁电阻)的影响做了研究.用Slonczewski近自由电子模型所得到的计算结果表明,FM厚度的变化会引起隧穿电阻和隧穿磁电阻振荡;当FM厚度取适当值时,会得到比FM/I/NM/I/FM更大的隧穿磁电阻. 展开更多
关键词 性双隧道结 隧穿电导 隧穿电阻 非磁金属覆盖层
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Ti Impurity Effect on the Optical Coefficients in 2D Cu_2Si: A DFT Study
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作者 Bromand Nourozi Arash Boochani +3 位作者 Ahmad Abdolmaleki Elmira Sartpi Pezhman Darabi Sirvan Naderi 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2018年第1期101-106,共6页
The electronic and optical properties of 2D Cu_2Si and Cu_2Si:Ti are investigated based on the density functional theory(DFT) using the FP-LAPW method and GGA approximation. The 2D Cu_2Si has metallic and non magnetic... The electronic and optical properties of 2D Cu_2Si and Cu_2Si:Ti are investigated based on the density functional theory(DFT) using the FP-LAPW method and GGA approximation. The 2D Cu_2Si has metallic and non magnetic properties, whereas adding Ti impurity to its structure changes the electronic behavior to the half-metallic with 3.256μB magnetic moment. The optical transition is not occurred in the infrared and visible area for the 2D Cu_2Si in x-direction and by adding Ti atom, the real part of dielectric function in the x-direction, Re(ε(ω))_x is reached to a Dirac peak at this energy range. Moreover, the absorption gap tends to zero in x-direction of the 2D Cu_2Si:Ti. 展开更多
关键词 2D Cu2Si Ti impurity DFT optical property
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