IGBT器件新结构及制造技术的新进展

IGBT是一种新型的功率器件,经过几代重大技术改革,已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一,除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外,还存开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度,闸述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。