通过对螺二芴的掺杂有效抑制非辐射复合制备高性能钙钛矿太阳能电池

金属卤素钙钛矿太阳能电池由于非辐射复合的损失,导致光电转换效率仍远低于肖克利-奎瑟尔极限.本工作对安赛蜜分子作为空穴传输材料螺芴的掺杂剂进行了研究.研究发现相对于双三氟甲基磺酰亚胺锂12%摩尔比的安赛蜜掺杂时,非辐射复合从86.05%降到了69.23%,电池的开路电压平均增长了0.08伏,最好的电池光电转换效率增长到了21.9%.并且,在相对湿度20%~30%的干燥空气环境下老化720小时后电池的光电转换效率仍大于最初值的84%.

光照下叶黄素循环与非辐射能量耗散的关系

离体玉米叶片在光照下叶黄素循环与非辐射能量耗散发生明显变化 .随着光强提高 ,玉米黄质 (Z)含量显著上升 ,单环氧玉米黄质 (A)含量在中低光强时增加但在较强光照下略有降低 ,紫黄质 (V)含量则呈下降趋势 ,但叶黄素循环组分库V +A +Z上升幅度不大 ;相同条件下非辐射能量耗散增强 ,表现为非光化学猝灭荧光参数 (NPQ)明显上升 ,同时Fv/Fm 下降 .分析表明 ,(Z +0 5A) / (V +A +Z)与NPQ呈明显正相关 ,而与Fv/Fm 呈显著负相关 ,(V +0 5A) / (V +A +Z)则与之相反 .由此推测 ,离体条件下玉米叶片中Z的环氧化和V的脱环氧化明显与非辐射能量耗散和PSⅡ光能转化过程相关 .

阳生植物和阴生植物的叶黄素循环与非辐射能量耗散

自然条件下阳生植物和阴生植物的光合速率存在着明显的差距 ,它们拥有不同的适应强光胁迫的能力 ,前者明显强于后者。从叶黄素组分来看 ,阳生植物拥有更大的叶黄素库[紫黄质 (V) +单环氧玉米黄质 (A) +玉米黄质 (Z) ],其中 Z和 [Z+A]的含量更明显高于阴生植物 ;从阳生植物或阴生植物内部来看 ,不同物种间 Z、[Z+A]和 [V+A+Z]含量的差异相对较小 ,A则基本相同 ;不论是阳生植物还是阴生植物 ,非光化学猝灭值与 Z、[Z+A]及 [V+A+Z]含量均呈现较好的正相关关系 ,后三者含量越高 ,非光化学猝灭值越大 ,而且 [V+A+Z]库的大小与 Z含量基本上是成比例增加的。说明在不同植物种间 ,[Z+A](主要是 Z)

利用荧光非辐射能量转移观察磺酸基聚电解质分子链形态

2-丙烯酰胺基 -2 -甲基丙磺酸 (AMPS)与 N,N-二甲基丙烯酰胺 (DMAA)共聚合成了一系列电荷密度为 5 %～ 99%的强聚电解质 ,并分别用萘和芘标记 .随试样电荷密度升高 ,用分子间非辐射能量转移(NRET)测定的聚电解质接触质量浓度ρ*从 0 .5 5减小到 0 .2 5 g/L,比激基缔合物荧光测定的ρ*约小一个数量级 .在稀溶液范畴内 ,随试样电荷密度增加 ,分子链间的 NRET先减弱 ,至 AMPS质量分数达 30 %后又增强 .该现象可用 Manning的反离子凝聚与聚电解质聚集理论予以定性说明 .

添加盐对磺酸基聚电解质分子内及分子间荧光非辐射能量转移的影响

合成了带萘、芘单标记、双标记的2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸(AMPS)与N,N-二甲基丙烯酰胺共聚强聚电解质, 测定了在NaCl和CaCl2水溶液中的分子内与分子间荧光非辐射能量转移(NRET).由于添加盐的屏蔽作用, 分子内与分子间的NRET都随盐浓度升高而加强, 而且钙离子的作用比钠离子显著.为了比较不同试样的NRET, 定义归一化NRET效率En为盐溶液中的NRET与纯水中的NRET之比.随试样电荷密度FAMPS上升, 分子内En减小而分子间En增大.尽管聚电解质的浓度低于接触浓度c*, 但因溶液中发生了反离子凝聚, 凝聚的反离子会引起大分子间的聚集.

非辐射边馈电的宽带双层微带贴片天线

介绍了一种非辐射边馈电的宽带双层微带贴片天线单元,并对其参数特性进行了仿真研究,结果表明,通过在寄生贴片上开3～5个与极化方向相平行的缝,可有效抑制天线的交叉极化,同时改善天线的阻抗带宽。相比传统双层微带贴片,该天线单元的阻抗带宽可提高3%以上,而交叉极化指标相当。当该单元应用于阵列天线设计时,可简化馈电网络,便于实现宽带、高效、大扫描角的微带共面馈电天线阵。对X波段8×8单元实验小阵的测试结果表明,该天线在17.6%的频段内具有良好的交叉极化性能及较高的工作效率。

外源药剂处理对玉米叶黄素循环与非辐射能量耗散的影响

利用ＡｓＡ、ＤＴＴ和ＮＡＤＰＨ溶液处理离休玉米叶片，对其叶黄素循环和非辐射能量耗散都可产生一定的影响． ２０ ｍｍｏｌ／Ｌ ＡｓＡ可促进紫黄质（Ｖ）向单环氧玉米黄质（Ａ）至玉米黄质（Ｚ）的转化，ＮＰＱ值和Ｆｖ／Ｆｍ均相应增加，但是生成的Ｚ在强光下（＞６５０ μｍｏｌ ｍ－２ｓ－１）很容易达到饱和。５ ｍｍｏｌ／Ｌ ＤＴＴ可明显抑制 Ｚ的增加，但对 Ａ的影响很小，同时玉米叶片的 ＮＰＱ值和 Ｆｖ／Ｆｍ均显著下降． ０．５ ｍｍｏｌ／Ｌ ＮＡＤＰＨ也可抑制玉米叶片中 Ｖ向 Ｚ和 Ａ的转化，但是强光可以明显减轻这种作用，而且对应的 ＮＰＱ值和 Ｆｖ／Ｆｍ均与 Ｚ含量同步下降。总体上来看，这三种处理均通过改变玉米叶片中Ｚ和Ａ的含量来影响其非辐射能量耗散，而对总叶黄素库的大小影响很弱。

半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性

测量了 50余只 980nmInGaAsP/InGaAs/AlGaAs双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V -I特性。结果表明 ,小注入情况下 ,980nm半导体激光器的低频电噪声主要表现为 1/f特性 ,并与器件的表面非辐射复合电流有着良好的对应关系。

苯胺基团对一类Pt(Ⅱ)磷光发光材料非辐射跃迁调控的理论研究

采用密度泛函(DFT)和含时-密度泛函(TD-DFT)方法研究二苯胺基团对一类Pt(Ⅱ)配合物(M1~M3)光学性质的调控。通过与实验合成的分子对比,揭示苯胺基团取代位置和数量对电子结构和光学性质的调控规律。引入苯胺基团可有效地增大金属和配体的π共轭性。逐渐增多苯胺基团导致M3分子可以有效地增大吸收光谱的强度和金属到配体的电荷转移(MLCT)占比有利于金属对光的吸收和自旋轨道耦合。M1~M3的发射峰在602~630 nm,发射光谱归属为3MLCT和配体之间的电荷转移(3LLCT)。通过对非辐射跃迁过程,即T1(3MLCT)→TS→金属中心三重态3MC(d-d)的研究,发现当二苯胺取代基团引入位置可以有效地增大分子内空间位阻时,形成S0和T1的系间交叉MECP能量变得更高,从而抑制了非辐射的概率,有利于发光性能提高。

非辐射复合对微腔半导体激光器自发发射寿命调制特性的影响

考虑非辐射复合,采用小信号近似方法分析了微腔半导体激光器的自发发射寿命调制。数值模拟结果表明 ,非辐射复合对微腔半导体激光器自发发射寿命调制的调制带宽有一定影响,它可使特定注入电流下的共振峰消除。

利用激光诱导后向荧光测定Rb[5P3/2(F′=4)]在金属膜附近的非辐射跃迁率

利用激光诱导后向荧光光谱研究了Rb蒸气-玻璃界面的85Rb[5P3/2(F′=2,3,4)→5S1/2(F=3)]超精细结构跃迁。把界面分为2个不同的区域,靠近表面厚度约为一个波长的近区和远区(蒸气区域),近区起光谱滤波器的作用。将激光分为二束,一束作为检测光通过一个室温下的Rb参考样品池,得到5S1/2(F=3)→5P3/2(F′=2,3,4)半宽为510 MHz的Doppler吸收线,其中心离F=3→F′=4跃迁约为70 MHz。另一束激光进入温度为130℃的Rb样品池,记录共振后向荧光Sob(νL),将它减去远区辐射的荧光ST(νL),得到近区辐射的荧光senxp(νL),它是具有半宽ΓRF=50 MHz的Lorentz线型,而ΓRF=Γn+cΓoll+Γnr,Γn为谱线的自然增宽,cΓoll=γRb-RbN为碰撞增宽,γRb-Rb为增宽系数,N为Rb基态密度,Γnr为玻璃表面激发态原子的非辐射能量转移引起的附加增宽,由此得到非辐射跃迁率为AnFr′=4→F=3=2.4×108s-1,它远大于自发辐射率A(5P3/2→5S1/2)=1.4×107s-1。

掺Er^（3＋）／Yb^（3＋）氟铝玻璃非辐射跃迁的研究

测量了掺Ｅｒ３＋／Ｙｂ３＋氟铝玻璃的吸收谱，在０．９８μｍ附近，比掺Ｅｒ３＋氟铝玻璃具有明显的吸收增强．用Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论得出了其光谱参量Ωλ（λ＝２，４，６），并计算了有关能级的声子跃迁速率．理论分析及实验结果表明。

具有不同限制结构的N，N－二甲基氨基烯酮类化合物的非辐射衰减过程的研究

研究了具有不同限制结构的Ｎ，Ｎ－二甲氨基烯酮类化合物的非辐射衰变过程，通过研究过类化合物在不同温度下的荧光量子产率与温度的关系，计算出表观活化能，结果表明，对于不同受阻结构的各化合物，在不同极性和不同粘度的介质条件下具有不同的非辐射机制，在非极性溶剂中，其非辐射机制主要是由ｎπ－ππ相互作用引起的分子内转换；而在高粘度极性溶剂中，分子内旋转损耗是主要的非辐射衰减机制。

异向介质填充非辐射介质波导和H波导中的高次模及漏波抑制

通过对加载异向非辐射介质波导(NRD)和H波导的全波分析,研究了此新型导波结构的传输特性。由于开口谐振环所引起的双各向异性效应,在双负参数条件下,纵剖面磁(LSM)波型和纵剖面电(LSE)波型将可能出现传播常数随频率增高而减小的异常高次模式,从而引起漏波。而在其它情况下,利用双各向异性效应却可以有效减少LSM和LSE波型的高次模漏波现象。尤其当异向介质取得单负参数时,此新型导波结构将能够完全抑制高次模漏波的出现。

a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合

应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。

高功率固体激光器激活介质的非辐射弛豫热吸收

分析了高功率固体激光器中激活介质的热吸收特征，建立了连续运转条件下激活离子的非辐射弛豫模型，给出激活介质非辐射弛豫热吸收对激光振荡的依赖关系，以及激光振荡条件对激活介质屈光度的影响，实验结果与理论模型分析一致。

植物叶黄素循环与非辐射能量耗散

简述了叶黄素循环机制以及非辐射能量耗散的检测方法，并介绍了叶黄素循环与非辐射能量耗散关系的研究现状和最新进展。

非辐射复合对微腔半导体激光器光子寿命调制特性的影响

本文考虑非辐射复合，采用小信号近似方法分析了微腔半导体激光器电子寿命调制。数值模拟结果表明：非辐射复合对微胶半导体激光器光子寿命的调制带宽有一定影响，它可以使特定注入电流下的共振峰消除，但由于耗散导致强度响应减弱。

ZnCdSe单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合激活的点缺陷反应

本文对ＺｎＣｄＳｅ单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合而激活的点缺陷反应作了研究．样品在不同温度下对荧光光谱随时间变化的测量表明，这种反应增强了辐射量子效率．实验结果与温度相关的点缺陷状态跃迁率模型相吻合，并得到该跃迁的激活能为０．４５ｅｖ．

测量非辐射能从荧光分子到介电界面的传输

我们测量了被Ａｌ２Ｏ３隔离层与Ａｇ，Ｉｎ２Ｏ３和ＳｎＯ２表面分隔开的噻吩甲酰三氟丙酮铕〔ｅｕ－ｒｏｐｉｕｍ（Ⅲ）ｔｈｅｎｏｙｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｏｎａｔｅ，ＥｕＴＴＡ〕分子的荧光强度．实验结果显示当隔离层厚度为１～１０ｎｍ时，由于非辐射能从发射中心Ｅｕ３＋离子传输入介电界面，荧光强度随隔离层厚度减少按指数式减弱．