期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
ZnCdSe单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合激活的点缺陷反应
1
作者 唐敏学 沈凯 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 1999年第4期57-60,共4页
本文对ＺｎＣｄＳｅ单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合而激活的点缺陷反应作了研究．样品在不同温度下对荧光光谱随时间变化的测量表明，这种反应增强了辐射量子效率．实验结果与温度相关的点缺陷状态跃迁率模型相吻合，并得到该跃... 本文对ＺｎＣｄＳｅ单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合而激活的点缺陷反应作了研究．样品在不同温度下对荧光光谱随时间变化的测量表明，这种反应增强了辐射量子效率．实验结果与温度相关的点缺陷状态跃迁率模型相吻合，并得到该跃迁的激活能为０．４５ｅｖ． 展开更多
关键词 ZNCDSE 单量子阱 非辐射载子复合 点缺陷 半导体
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部