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题名Flash存储管理的研究与设计
被引量:7
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作者
朱念好
周玉洁
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机构
上海交通大学芯片与系统研究中心
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出处
《计算机工程与设计》
CSCD
北大核心
2010年第3期511-513,554,共4页
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基金
国家创新研究群体科学基金项目(60821062)
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文摘
针对目前存储管理对大容量NAND Flash考虑的不足,在对大容量NAND Flash物理特性深入研究的基础上,实现了连续写与非连续写技术,提高了存储管理的效率。首先研究并实现了特有的状态信息描述方法,完全符合大容量MLC类型NAND Flash的物理特性,研究并实现了区域映射技术,适用于任何容量的闪存,并实现了连续写与非连续写技术,提高了写大文件的效率。实验结果表明,该方法在文件传输方面最大限度地挖掘了MLC类型NAND Flash的性能。
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关键词
闪存
存储管理
逻辑写
连续写
非连续写
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Keywords
flash
memory management
logical writing
continuous writing
discontinuous writing
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分类号
TP368.1
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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