中性介质铝表面无机非金属膜层的电化学沉积Ⅰ无机非金属膜层的制备

在由成膜促进剂、络合成膜剂和某些金属含氧酸盐组成的中性电解液中 ,对铝进行高压阳极氧化 ,铝表面可沉积一层具有陶瓷光泽的无机非金属膜层。该膜层具有较高的硬度和耐酸碱性能 。

铝表面无机非金属膜层的阳极沉积

对铝在Na2 WO4 H3PO4溶液中的阳极极化行为进行了研究。结果表明 ,在高电压、大电流的作用下 ,铝表面可沉积一层致密的无机非金属膜层。该膜层与基底金属结合牢固 ,具有较高的硬度、耐磨和耐蚀性能。采用电化学方法进行无机非金属膜层沉积的表面处理方法 ,工艺简单、成膜速度快 ,具有很好的工业应用前景。

中性介质铝表面无机非金属膜层的电化学沉积(Ⅲ)无机非金属膜层成膜机理初探

通过分别测定铝在成膜促进剂、络合成膜剂和Na2 WO4 的不同组合体系中的稳态伏安特性曲线和暂态阳极氧化曲线 ,及铝在成膜促进剂 +络合成膜剂 +Na2 WO4 体系中不同氧化阶段形成的膜层的显微形貌 ,初步提出了无机非金属膜层的成膜机理 ,即在特殊电解液和工艺条件下 ,铝 电解液界面上形成带负电含铝胶体粒子 ,由于界面化学、电化学和焦尔热的作用 ,胶体层在阳极不均匀沉积、浓缩、脱水和快速冷却 。

LED芯片封装缺陷检测方法研究

引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间的电气连接情况,并对检测精度的影响因素进行分析。实验表明,该方法具有高检测信噪比,能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。

LED芯片封装缺陷检测方法研究

引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免，基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应，分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感受定律对LED支架回路光电流进行非接触检测，得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间的电气连接情况，并对检测精度的影响因素进行分析。实验表明，该方法具有高检测信噪比，能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。