混合型忆阻–CMOS在数据选择电路中的应用——基于忆阻器的与非门电路

针对忆阻器具有记忆功能的特点,根据阈值型忆阻器模型建立其忆阻等效电路。以忆阻等效电路和CMOS管为核心,搭建一种混合型忆阻-CMOS逻辑的与非门电路,PSPICE软件的仿真结果验证电路功能的正确性。将忆阻器等效电路连接到实物电路中进行测试,测试结果与仿真结果基本吻合,验证混合型忆阻-CMOS逻辑的与非门电路的可行性。

基于深度学习技术的非门控胸部CT冠脉钙化积分系统的准确性评价

目的:评价基于深度学习(DL)技术的非门控胸部CT冠脉钙化积分系统的准确性。方法:本研究回顾性纳入1441例因常规体检而行非增强胸部CT平扫的中老年患者。所有患者图像分别导入GE后处理工作站smartscore钙化积分软件以及基于深度学习的非门控胸部CT智能钙化积分软件。按照解剖部位将两种方法获得的Agatston评分划分为冠状动脉总评分(TOTAL)、左主干(LM)评分、左前降支(LAD)评分、左回旋支(LCX)评分以及右冠状动脉(RCA)评分。采用Pearson相关系数分析两种方法下测得钙化积分相关性,同时对测得不同厂家、不同机型各分支钙化积分及总钙化积分的统计学差异评估以及对两种不同管电压下的钙化积分差异进行比较采用配对t检验;采用组内相关系数(ICC)对两种方法测得的钙化积分进行一致性检验,所有结果以P<0.05为差异有统计学意义。结果:Pearson相关系数显示两组方法测量所有机型下大部分TOTAL,LM、LCX、RCA的Agatston积分具有较好的相关性(P>0.05),两种方式所得钙化积分差异无统计学意义(P>0.05),但在LightSpeed VCT机型中两组RCA钙化积分差异具有统计学意义(P<0.05);120 kVp、100 kVp两种管电压下两组测得CACS大部分差异无统计学意义,但在Optima CT680 Series机型中120 kVp下两者TOTAL差异具有统计学意义(P<0.05);ICC分析发现两种方法下大部分所获的钙化积分具有较好的一致性(ICC:0.710~0.996),其中六中机型中两种方式下总钙化积分的组内相关系数分别为BrightSpeed(ICC:0.875,95%CI:0.833~0.905)、Revolution CT(ICC:0.834,95%CI:0.761~0.883)、LightSpeed VCT(ICC:0.763,95%CI:0.688~0.822)、Optima CT680 Expert(ICC:0.723,95%CI;0.590~0.815)、SOMATOM go.Top(ICC:0.967,95%CI:0.955~0.975)、uCT 550(ICC:0.988,95%CI:0.984~0.991)。结论:基于深度学习的钙化积分算法在不同CT机型及不同管电压的扫描条件下对冠脉分支钙化积分的评估均具有较高的准确性。

一种先进CMOS工艺下抗单粒子瞬态加固的与非门

先进纳米集成电路工艺的发展使得微电子器件翻转的阈值电荷不断降低,导致数字电路中由单粒子效应引起的软错误率增加。为加强集成电路中标准单元的抗辐射特性,本文提出了一种抗单粒子瞬态(single-event transient,SET)加固的与非门结构。在三阱工艺下,通过将下拉网络中每一个NMOS管的衬底和源极各自短接,便有效地提高了与非门抗辐射性能,而且随着输入端数目的增加,本文提出的与非门加固效果更加明显。利用Sentaurus TCAD软件的混合仿真模式进行粒子入射仿真实验,对于与输出节点相连的NMOS管采用经过工艺校准的三维物理模型,其他MOS管采用工艺厂商提供的Spice模型。结果显示:在40 nm工艺下,当入射粒子线性能量传输(linear energy transfer,LET)值为10 MeV·cm^(2)/mg时,本文提出的2输入与非门能够在3种输入的情况下降低输出电压扰动幅度。其中在N_(2)管关闭的输入模式下,达到了对单粒子入射免疫的效果;对于3输入与非门,即使在“最坏”输入的情况下,也能使输出电压翻转幅度降低85.4%。因此,本文提出的与非门加固方法起到了显著的抗单粒子瞬态效果。

单非门晶振振荡电路的起振分析和实现

文章在负反馈理论的基础上,基于频域分析给出了单非门晶振电路起振的两个必要条件,说明了高频振荡电路不适用于低频振荡的原因。根据两个条件设计了通用型的高低频振荡电路,并通过实际电路验证了设计方法的正确性。

基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计

共振隧穿(resonant tunnel,RT)器件本身所具有的微分负阻(negative differential resistance,NDR)特性使其成为天然的多值器件.文中利用RT器件的负阻特性,以开关序列原理为指导,设计了基于RT电路的开关模型,实现了更为简单的三值RT与非门和或非门电路,并利用MOS网络模型,通过SPICE软件仿真验证了所设计电路的正确性.该设计思想可推广到更高值的多值电路设计中.

基于非门电路的高增益交流放大器理论研究与应用

本文通过比较模拟小信号的放大机理和数字电路中的非门转移特性 ,提出了利用非门放大模拟信号的思路 ,并且研究了非门作为放大器时的工作点设置、增益计算和提高增益的方法。理论研究和实际应用证明了CMOS非门具有较高的放大倍数和较好的放大性能。

四值非门和与非门电路的研究

采用双极型晶体管设计出了四值TTL非门和与非门电路,实际电路具有较好的输入输出特性、较强的负载能力和抗干扰能力,噪声容限可达到±0.6 V。其与非门电路不仅全部由NPN型晶体管构成,且结构非常简单,容易做成集成电路。实际电路具有实用价值,可用作构造四值数字系统、人工神经网络和模糊逻辑系统的基本单元电路。

论带缓冲器的CMOS与非门电路

论述了CMOS与非门存在的三个缺点:输出电阻Ro受输入端状态的影响,输出的高、低电平受输入端数目的影响,输入端工作状态不同时对电压传输特性的影响．讲清楚了带缓冲器的CMOS与非门是怎样克服、解决这三个缺点的,克服、解决这三个缺点是输出端的缓冲器起的作用,每个输入端的缓冲器是用于得到所需与非门逻辑功能的．

四值与非门离散逻辑电路的研究

采用双极型晶体管设计出了四值TTL非门和与非门 ,均属于离散逻辑电路 .这类门电路可以用于构成四值组合逻辑电路和时序逻辑电路 ,也可以和DYL系列电路配合使用 .

74LS系列与非门和或非门电路扇出系数的确定

数字电路中逻辑门电路部分是数字电子技术和模拟电子技术中结合最紧密的部分,其中的难点之一就是74LS系列门电路的结构和扇出系数的计算,对于单输入端、多输入端的与非门或非门的驱动个数的如何计算应结合具体内部电路结构进行.

使用共振腔实现受控非门及量子隐形传态的方案

提出一个使用三能级原子以及通过经典场对单粒子态的操控和两原子与单模腔场的共振作用实现受控非门的方案,并使用该方案完成单粒子态的隐行传态过程。该方案中原子与单模腔场的共振作用时间可以很短,这一特点对量子信息处理过程中的消相干问题的处理是非常有利的,这也是该方案与已有文献报道使用失谐腔的腔QED方案的主要区别之一。

非门脉高压性上消化道出血的介入治疗

报告1982年以来对99例消化道出血患者行腹部血管造影,并对其中57例非门脉高压性上消化道出血行介入放射治疗,并就其治疗方法及效果进行了讨论。

门控与非门控心肌断层显像诊断价值的比较

门控与非门控心肌断层显像诊断价值的比较沃金善，诸骏仁，李志善，杨洪霞，陈绍亮，赵惠扬就门控与常规心肌断层显像的结果进行了比较，以探讨门控心肌断层显像在诊断冠心病方面的优越性。资料与方法１．对象：冠心病患者３１例，男２６例，女５例，平均年龄４３．８（３...

利用耦合双原子与单模光场相互作用系统实现控制非门

提出一种利用耦合双原子与单模光场相互作用系统实现控制非门的方案.结果表明:腔场初始时刻制备于相干态,双原子处于特定的初态.在大失谐相互作用情况下,通过控制腔场与耦合双原子的相互作用时间,就可以实现控制非门.

急诊内镜下硬化治疗在急性非门脉高压症消化道大出血中的应用价值

目的探讨急诊内镜下硬化治疗术在急性非门脉高压症消化道大出血中的临床应用价值,并评估其安全性。方法对近6年来47例急性非门脉高压症消化道大出血患者,包括食管贲门黏膜撕裂合并大出血2例,胃、十二指肠溃疡伴血管裸露合并大出血32例,胃十二指肠恒径动脉畸形(杜氏病)合并大出血9例,结、直肠血管畸形伴大出血4例,行急诊内镜检查明确出血部位,并于出血病灶周围注射肾上腺素及硬化剂(鱼肝油酸钠或乙氧硬化醇)止血,观察其疗效及并发症。结果全部病例经治疗后均基本止血,内镜治疗后经过药物治疗1～2个月复查内镜42例达到临床痊愈,5例出现继发性溃疡,均经药物治疗后痊愈。结论急诊内镜下硬化治疗术治疗急性消化道大出血具有止血效果确实可靠、创伤小、风险可控等优点,值得推广。

非门脉性消化道大出血的导管治疗

目的 探讨导管治疗非门脉性消化道大出血的临床运用价值。方法 运用Seldinger技术对 3 8例非门脉性消化道大出血患者进行选择性动脉造影 ,经导管灌注垂体后叶素和超选择动脉栓塞术 ;对常规造影无病变发现的患者进行药物诱导后造影 ;对有血管病变的部分患者进行外科术前介入定位。结果 本组 3 1例造影发现异常 ,占76 3 % ;7例常规造影表现正常 ,但经药物诱导后 3例发现病变 ;经导管超选择栓塞 13例 ,占 3 6 2 % ;对 3例血管病变的患者进行外科术前定位 ;2 0例进行了外科手术 ,手术后的诊断与介入诊断的符合率为 95 %。结论 非门脉性消化道大出血的导管治疗是一种安全、快速、有效的方法 ,能达到诊断和治疗的双重目的。

量子可控非门制备过程中的纠缠度

用囚禁冷离子制备量子可控非门包括3次连续激光脉冲操作.分析了制备过程中的纠缠动力学和纠缠度随时间的变化规律.关于纠缠度的计算结果表明,在第1和第3步激光操作过程中离子内外态无纠缠,在第2步激光操作中离子内外态具有较强的纠缠,并呈现出一定的周期性.

双非门结构皮秒级窄脉冲设计

窄脉冲的产生是超宽带通信系统中的一项关键技术,不同的应用对脉冲的产生方法有不同的要求。文中分析了超宽带室内定位系统中几种常规的超宽带窄脉冲产生方法,比较了它们的优缺点,对存在的问题进行了研究。在此基础上首先设计了一种基于数字方法的脉冲发生器,通过对该脉冲发生器的仿真分析提出了一种基于双非门结构的超宽带窄脉冲的产生方法,仿真结果表明,利用该方法得到的脉冲重复频率为10 MHz,宽度为150 ps。实验电路测试结果与理论分析和仿真结果基本一致。相电路比常规的数字电路窄脉冲产生方法,该设计方法不仅电路简单,对器件的要求不高,成本低,而且脉冲宽度变窄了十几倍,定位精度更高。