双自旋过滤隧道结在有限偏压下的隧穿电导和隧穿磁电阻

最近的一项理论估计指出,NM/FI/FI/NM 型双自旋过滤隧道结（DSFJ,此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体）,在零偏压下可能具有甚高的隧穿磁电阻（TMR）针对磁电阻元件的研制和应用的需要,计算了DSFJ的TMR和电导随偏压,FI厚度以及势垒高度的变化.结果表明:与传统的FM/NI/FM型磁性隧道结（FM和NI分别代表铁磁电极和非磁绝缘体或半导体）相比,DSFJ具有一个有利于应用的特点:其TMR在具有甚高值的问时,不随偏压的增大而单调地剧烈下降,而是先缓慢升到一个峰值后再下降.

处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中电子输运的一个简单方法

在Slonczewski自由电子模型的基础上 ,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法 ,并以三种常见构形的势垒 ,即梯形势垒 ,计入了镜像势的梯形势垒和抛物线势垒为例 ,讨论了势垒形状对隧穿磁电阻及其随偏压变化的影响 .

自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算

对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算 .所得结果与最新实验结果相符 ,并发现偏压适中、绝缘层较厚时有较大的电流自旋极化率 ,偏压很小时电流自旋极化率几乎为零 .