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交流脉冲式磁控溅射靶极电源的研制 被引量:2
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作者 陈侃松 顾豪爽 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1651-1655,共5页
本文介绍了一种中频交流脉冲式磁控溅射靶极电源。该电源采用全桥逆变拓扑电路、PWM控制方式、输出功率叠加的方案,具有快速的过流检测与保护功能。在等离子体负载下进行了抑制弧光放电和空心阴极效应的实验,同低频直流脉冲电源相比,交... 本文介绍了一种中频交流脉冲式磁控溅射靶极电源。该电源采用全桥逆变拓扑电路、PWM控制方式、输出功率叠加的方案,具有快速的过流检测与保护功能。在等离子体负载下进行了抑制弧光放电和空心阴极效应的实验,同低频直流脉冲电源相比,交流脉冲放电对其抑制是非常有效的。这表明该电源作为磁控溅射靶极电源是完全可行的,也为进一步探索交流磁控溅射新工艺提供了可靠的研究设备。 展开更多
关键词 中频交流脉冲式靶极电源 过流保护 弧光放电 空心阴放电
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井下中子发生器靶极稳压电源的研制
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作者 卢洪波 郭景富 +2 位作者 李文生 李国锋 陈彩云 《东北师大学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1996年第3期26-28,共3页
介绍了为产生-120kV靶极电压而研制的0~180V的可调直流稳压电源.该电源采用开关一线性双重结构,开关调整采用固态继电器,压控振荡器采用控制范围宽的时基电路,线性稳压采用VMOS器件.该电源的电压不稳定度小于0.... 介绍了为产生-120kV靶极电压而研制的0~180V的可调直流稳压电源.该电源采用开关一线性双重结构,开关调整采用固态继电器,压控振荡器采用控制范围宽的时基电路,线性稳压采用VMOS器件.该电源的电压不稳定度小于0.1%,负载不稳定度小于0.05%,纹波小于100mVPP. 展开更多
关键词 油田 测井 中子发生器 稳压电源 靶极电压
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可控硅式磁控溅射靶极电源的研制
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作者 张勇 魏海波 《真空》 CAS 北大核心 1994年第4期36-39,共4页
本文介绍的电源具有下垂特性的电流,电压负反馈双闭环系统,采用P-I调节,使电源系统具有良好的动态特性。引入了电流截止负反馈,解决靶极辉光放电问题。该电源与负载匹配能力强、体积小、集成度高、抗干扰能力强、调节方便。
关键词 磁控溅射靶极 电源 可控硅式 研制
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靶极电流对TSiN涂层微观组织和性能的影响 被引量:1
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作者 刘宝军 张红阳 +1 位作者 李晓斌 李子新 《价值工程》 2019年第22期229-232,共4页
采用多弧离子镀技术在Ti(C,N)金属陶瓷基体上沉积了TiSiN涂层,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、显微硬度仪和划痕仪等实验手段研究了靶极电流对TiSiN涂层的表面形貌、成分、涂层物相和力学性能的影响。结果表明,随着Si靶电流的增加... 采用多弧离子镀技术在Ti(C,N)金属陶瓷基体上沉积了TiSiN涂层,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、显微硬度仪和划痕仪等实验手段研究了靶极电流对TiSiN涂层的表面形貌、成分、涂层物相和力学性能的影响。结果表明,随着Si靶电流的增加,涂层表面颗粒的尺寸和数量均减少,涂层更加致密;涂层由固溶了Si的TiN和TiSi2相组成,Si部分取代了涂层中的Ti,对TiSiN涂层起到固溶强化作用,同时形成的TiSi2相镶嵌在非晶的Si3N4骨架结构中,使涂层的硬度升高。TiSiN涂层与过渡层TiN具有相同的晶体结构,TiN/Ti过渡层阻碍了临界剪切应力在界面处的扩展,提高了涂层与基体间的结合强度。当靶极电流比为0.25时,涂层具有较好的综合力学性能。 展开更多
关键词 Ti-Si-N涂层 靶极电流 多弧离子镀 表面形貌 力学性能
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自编心肌断层靶心图分析软件的临床应用
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作者 高汝桢 刘福祥 +3 位作者 何世红 马瑞清 吴文凯 张庆坤 《现代临床医学生物工程学杂志》 1995年第2期44-45,共2页
极座标靶心图是在心肌断层基础上,对短轴横断图像进行定量分析的方法,靶心图的定位和定量特点明显地改善了临床心肌缺血和心肌梗塞的准确率,较早引进的SPECT缺乏比一程序,我们根据靶心图分析的原理,在Omega500-MCS560系统上设计分... 极座标靶心图是在心肌断层基础上,对短轴横断图像进行定量分析的方法,靶心图的定位和定量特点明显地改善了临床心肌缺血和心肌梗塞的准确率,较早引进的SPECT缺乏比一程序,我们根据靶心图分析的原理,在Omega500-MCS560系统上设计分析软件,并在临床上分析了一组冠心病例,现介绍如下。 展开更多
关键词 心肌断层显像 座标心图 定量分析
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密封中子管氘-氘产额及二次电子抑制 被引量:2
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作者 刘国财 张培旭 +2 位作者 刘志珍 李玮瑛 杨洪广 《核化学与放射化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期301-308,共8页
中子管的工作参数是影响中子产额的重要因素。为了更准确地调控D-D中子管的中子产额,对中子管的工作参数与产额关系进行了研究,同时为了提高中子管束流品质及寿命,对中子管的二次电子抑制进行实验。采用控制参数变量的方法分别研究了D-... 中子管的工作参数是影响中子产额的重要因素。为了更准确地调控D-D中子管的中子产额,对中子管的工作参数与产额关系进行了研究,同时为了提高中子管束流品质及寿命,对中子管的二次电子抑制进行实验。采用控制参数变量的方法分别研究了D-D中子管的热子电流、阳极高压、靶极高压对中子产额的影响,以及二次电子抑制电阻阻值与靶极电流之间的关系。结果表明:中子产额随着热子电流的增加而增加,当靶极高压为-80 kV、阳极高压为2.6 kV时,热子电流的最佳调控范围为290~305 mA;阳极高压与中子产额呈非线性关系,最佳阳极高压需要高于2.6 kV;靶极高压升高,中子产额随之增加,而且高压越高产额增加越快,靶极高压最佳工作范围为-120~-100 kV;D-D中子管二次电子抑制电阻阻值为8.7 MΩ或者抑制电压为403 V时,便可以完全抑制住二次电子。中子管的工作参数与中子产额的关系为今后中子管产额稳定性自调节可提供参考,二次电子抑制实验为抑制二次电子电流的产生提供依据。 展开更多
关键词 D-D中子管 热子电流 高压 靶极高压 二次电子抑制
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用熔盐电解法制备高纯度钛
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作者 劳金海 《钛合金信息》 1997年第3期8-8,共1页
关键词 集成电路 高纯度 熔盐电解 靶极 超大规模
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Polarization of terahertz emission out of incident plane from laser interactions with solid targets 被引量:1
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作者 DU Fei LI Chun +11 位作者 ZHOU MuLin WANG WeiMin SU LuNing ZHENG Yi LI YuTong MA JingLong SHENG ZhengMing CHEN LiMing LU Xin WANG ZhaoHua WEI ZhiYi ZHANG Jie 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第4期589-592,共4页
A powerful terahertz(THz) pulse was produced by a p-polarized,70 fs,800 nm laser interacting with solid targets at an incident angle of 45°.The polarization of the THz emission was measured out of the laser incid... A powerful terahertz(THz) pulse was produced by a p-polarized,70 fs,800 nm laser interacting with solid targets at an incident angle of 45°.The polarization of the THz emission was measured out of the laser incident plane.The results showed that it was linearly polarized.We established a surface current model to explain this phenomenon,assuming that the transient current moving along the plasma surface was responsible for the generation of the THz emission.The model expectation and the experimental result were in good agreement. 展开更多
关键词 terahertz emission laser solid interactions POLARIZATION
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