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霍尔推进器中振荡鞘层对电子与壁面碰撞频率的影响研究 被引量:17
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作者 于达仁 张凤奎 +1 位作者 李鸿 刘辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期1844-1848,共5页
利用二维粒子模拟方法研究振荡鞘层对近壁电导的影响.研究结果表明,当二次电子发射系数大于1时,鞘层处于振荡状态.在振荡鞘层状态下,电子与壁面的碰撞通量沿平行与壁面方向剧烈的周期性振荡,振荡的波长为电子静电波波长量级,电子与壁面... 利用二维粒子模拟方法研究振荡鞘层对近壁电导的影响.研究结果表明,当二次电子发射系数大于1时,鞘层处于振荡状态.在振荡鞘层状态下,电子与壁面的碰撞通量沿平行与壁面方向剧烈的周期性振荡,振荡的波长为电子静电波波长量级,电子与壁面的碰撞频率高出经典鞘层状态下电子与壁面碰撞频率1—2个数量级,此时的碰撞频率对通道中电流的贡献不可忽略.振荡鞘层相对与经典鞘层增大了电子与壁面的碰撞频率,但是振荡鞘层的存在,仍然会使一部分慢电子无法穿越鞘层的势垒而打到壁面. 展开更多
关键词 霍尔推进器 振荡 二次电子
原文传递
RF偏压电极对微波等离子体的影响
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作者 Ohtsu.,Y 罗治 《国外核聚变与等离子体应用》 1994年第5期25-29,19,共6页
关键词 微波等离子体 rf 鞘振荡 射频偏压电极
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