单自由度结构的磁流变阻尼顶层隔振

提出了应用磁流变阻尼装置的顶层隔振控制方法.首先,对小质量比TMD的控制理论进行了深入研究,将最优TMD参数的计算公式推广到大质量比范围.以大质量比TMD控制的减振机理为基础,对顶层隔振结构的动力特性进行了研究,对参数影响进行了分析,建立了合理的顶层隔振结构体系;其次,引入磁流变阻尼器对顶层隔振结构的隔振层进行控制,避免TMD控制范围较窄和隔振层变形过大等弱点;最后,对单自由度结构进行了顶层隔振控制.理论分析结果证明:以大质量比TMD理论为基础的顶层隔振控制方法是有效的,结合了磁流变阻尼器的控制后可以避免这种方法的一些弱点,在不增加结构自重的前提下,能够保证结构良好的控制效果,隔振层的位移和结构层的加速度都得到较好的控制,控制效果达到30%左右,以磁流变阻尼器半主动控制效果最好.

多自由度结构的磁流变阻尼顶层隔振控制

提出了应用磁流变阻尼装置的多自由度结构顶层隔振控制方法。首先,以大质量比TMD控制的减振机理为基础,对顶层隔振结构的动力特性进行研究,建立合理的顶层隔振结构体系;然后,采用磁流变阻尼器对顶层隔振结构的隔振层进行被动和半主动控制,以避免其控制范围较窄的缺点;最后,对三自由度结构进行顶层隔振控制时程分析,得到了比较理想的控制效果。