-
题名石墨烯的量子电容
被引量:1
- 1
-
-
作者
邱晨光
徐慧龙
张志勇
彭练矛
-
机构
北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室、北京大学电子学系
-
出处
《物理》
CAS
北大核心
2012年第12期789-795,共7页
-
基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB933001
2011CB933002)资助项目
-
文摘
量子电容在半导体纳米材料和器件中是一个日趋重要的参数,测量和提取石墨烯的量子电容,不仅可以得到石墨烯的重要物理性质,而且对石墨烯晶体管的尺寸缩减行为具有重要指导意义.文章中采用简单工艺在石墨烯上制备出均匀超薄的高质量Y2O3栅介质,其等效栅氧厚度(EOT)可缩减至1.5nm,通过控制栅介质厚度的变化,精确测量并提取了石墨烯量子电容,其电容值在远离狄拉克点时与理论计算相符合;在此基础上,文章作者提出了基于电势涨落的量子电容微观模型,通过采用单一参数——电势涨落δV,可以定量地描述Dirac点附近的量子电容行为,从而在全能量范围内实现对石墨烯量子电容测量值的完美拟合,并得到了石墨烯的相关重要参数.进而,作者从量子电容的角度,探索了石墨烯晶体管的性能极限,并比较其相对于Ⅲ-Ⅴ族场效应晶体管的潜在优势.
-
关键词
石墨烯
量子电容
顶栅场效应晶体管
纵向缩减
Y2O3
-
Keywords
graphene, quantum capacitance, top-gate FET, vertical scaling, Y2O3
-
分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
-