基于a-IGZO型OLED的顶栅自对准TFT结构中遮光层的研究

顶栅自对准(Top-gate self aligned)结构的a-IGZO TFT器件具有较小的寄生电容,适用于驱动OLED(Organic light emitting diode)显示器。为了增加TFT器件在光照条件下的稳定性,驱动OLED的TFT(Thin film transistors)器件通常需要加入遮光层。文章对遮光层的作用、遮光层信号连接方式、缓冲层厚度以及遮光层尺寸的选择进行了探究。结果表明:(1)遮光层可以有效降低TFT因为光照射造成的阈值电压负偏;(2)遮光层连接电讯号电性会更稳定,并且信号连接到源极,驱动电流更容易饱和,最适合驱动OLED;(3)缓冲层厚度选择400μm的器件性能较好;(4)在设计允许的情况下,遮光层应尽可能多的遮挡IGZO,以改善器件的稳定性。