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193nm浸没式光刻材料的研究进展
被引量:
3
1
作者
何鉴
高子奇
+2 位作者
李冰
郑金红
穆启道
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期743-747,共5页
介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战。在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述。并对顶部涂料存在的问题进行了阐述。对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体...
介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战。在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述。并对顶部涂料存在的问题进行了阐述。对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述,并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶,最后对193 nm浸没式光刻材料发展趋势作了展望。
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关键词
193
nm浸没式光刻
浸没液体
顶部涂料
光刻胶
下载PDF
职称材料
题名
193nm浸没式光刻材料的研究进展
被引量:
3
1
作者
何鉴
高子奇
李冰
郑金红
穆启道
机构
北京科华微电子材料有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期743-747,共5页
基金
国家"十一五"重点攻关计划支持项目(JPPT-115-490)
文摘
介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战。在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述。并对顶部涂料存在的问题进行了阐述。对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述,并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶,最后对193 nm浸没式光刻材料发展趋势作了展望。
关键词
193
nm浸没式光刻
浸没液体
顶部涂料
光刻胶
Keywords
193 nm immersion lithography
immersion fluid
topcoat
photoresists
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
193nm浸没式光刻材料的研究进展
何鉴
高子奇
李冰
郑金红
穆启道
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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