SIMOX结构及杂质的二次离子质谱分析

用二次离子质谱方法，测量了ＳＩＭＯＸ样品的各层结构和杂质分布。讨论了测量的方法。说明了ＳＩＭＯＸ材料顶部硅层的捩缺陷和杂质的施主作用。要制作适合器件需要的ＳＯＩ材料，必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤。