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一种低功耗的高性能四路组相联CMOS高速缓冲存储器(英文) 被引量:1
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作者 孙慧 李文宏 章倩苓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期366-371,共6页
采用 0 .1 8μm/ 1 .8V1 P6 M数字 CMOS工艺设计并实现了一种用于高性能 32位 RISC微处理器的 6 4 kb四路组相联片上高速缓冲存储器 (cache) .当采用串行访问方式时 ,该四路组相联 cache的功耗比采用传统并行访问方式在 cache命中时降低... 采用 0 .1 8μm/ 1 .8V1 P6 M数字 CMOS工艺设计并实现了一种用于高性能 32位 RISC微处理器的 6 4 kb四路组相联片上高速缓冲存储器 (cache) .当采用串行访问方式时 ,该四路组相联 cache的功耗比采用传统并行访问方式在 cache命中时降低 2 6 % ,在 cache失效时降低 35 % .该 cache的设计中还采用了高速电路模块如高速电流灵敏放大器和分裂式动态 tag比较器等来提高电路工作速度 .电路仿真结果显示 cache命中时从时钟输入到数据输出的延时为 2 . 展开更多
关键词 高速缓冲存储器 组相联 顺序访问方式 并行访问方式 电流灵敏放大器 比较器
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