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MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
1
作者
刘福民
杨静
+3 位作者
梁德春
吴浩越
马骁
王学锋
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第3期58-61,共4页
微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究...
微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究,分析了衬底片残余应力变形与SOI面形之间的对应关系,用破坏性剪切试验、埋氧层腐蚀等方法研究了衬底层变形对键合质量的影响。结果表明:衬底层的键合面存在一定程度的凸起变形时,Cavity-SOI片的键合质量最好。
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关键词
预埋腔体绝缘体上硅
Si-SiO_(2)直接键合
薄膜应力
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职称材料
题名
MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
1
作者
刘福民
杨静
梁德春
吴浩越
马骁
王学锋
机构
北京航天控制仪器研究所
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第3期58-61,共4页
文摘
微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究,分析了衬底片残余应力变形与SOI面形之间的对应关系,用破坏性剪切试验、埋氧层腐蚀等方法研究了衬底层变形对键合质量的影响。结果表明:衬底层的键合面存在一定程度的凸起变形时,Cavity-SOI片的键合质量最好。
关键词
预埋腔体绝缘体上硅
Si-SiO_(2)直接键合
薄膜应力
Keywords
silicon on insulator with buried cavities(Cavity-SOI)
Si-SiO_(2)direct bonding
stress in thin film
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
刘福民
杨静
梁德春
吴浩越
马骁
王学锋
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022
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职称材料
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