高速CMOS预放大-锁存比较器设计

基于预放大-锁存理论,提出了一种带1级预放大器的高速CMOS锁存比较器电路拓扑 结构;阐述了其传输延迟时间、回馈噪声和输入失调电压的改进方法。采用典型的0.35μm／3.3 V 硅CMOS工艺模型,通过Cadence进行模拟验证,得到其传输延迟时间380 ps,失调电压6.8 mV, 回馈噪声对输入信号产生的毛刺峰峰值500μV,功耗612μW。该电路的失调电压和回馈噪声与带 两级(或两级以上)CMOS预放大锁存比较器的指标相近,且明显优于锁存比较器。其功耗和传输 延迟时间介于两种比较器之间。该电路可用于高速A／D转换器模块与IP核设计。