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多峰I—V特性的共振隧穿量子器件
1
作者
宋登元
王英民
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期67-73,共7页
讨论了电子对双势垒共振隧穿的现象和特性,较为详细地论述了近年来发展起来的具有多峰I—V特性的共振隧穿量子器件的原理、结构和电路应用,最后展望了这类器件的发展前景。
关键词
共振
存储
器
频率倍增器
量子
器
件
下载PDF
职称材料
二/四倍频电路
2
作者
颜丁山
《苏州大学学报(自然科学版)》
CAS
1989年第4期377-378,共2页
本文介绍一种实用的二/四倍频电路.输入正弦电压,输出脉冲电压.输入频率范围为1到50KH_z.基本原理为:利用单相桥式全波整流输出的交流分量,产生二倍频交流电.
关键词
频率倍增器
倍频电路
二倍频
下载PDF
职称材料
题名
多峰I—V特性的共振隧穿量子器件
1
作者
宋登元
王英民
机构
河北大学电子与信息工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期67-73,共7页
文摘
讨论了电子对双势垒共振隧穿的现象和特性,较为详细地论述了近年来发展起来的具有多峰I—V特性的共振隧穿量子器件的原理、结构和电路应用,最后展望了这类器件的发展前景。
关键词
共振
存储
器
频率倍增器
量子
器
件
Keywords
Resonant Tunneling, Negative Differential Resistance, Multi-State Memory,Frequency Multipler,Analong-to-Digital Converter
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
二/四倍频电路
2
作者
颜丁山
机构
苏州大学电子工程系
出处
《苏州大学学报(自然科学版)》
CAS
1989年第4期377-378,共2页
文摘
本文介绍一种实用的二/四倍频电路.输入正弦电压,输出脉冲电压.输入频率范围为1到50KH_z.基本原理为:利用单相桥式全波整流输出的交流分量,产生二倍频交流电.
关键词
频率倍增器
倍频电路
二倍频
分类号
TN771 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
多峰I—V特性的共振隧穿量子器件
宋登元
王英民
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
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职称材料
2
二/四倍频电路
颜丁山
《苏州大学学报(自然科学版)》
CAS
1989
0
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