消除频率弥散的滤波器设计

文章通过分析、假设最终使用数字信号处理的相关知识来消除频率弥散现象。

氧化热处理SrTiO_3压敏电阻的电容弥散频率

经测量氧化热处理后SrTiO3压敏电阻的电容频率和复阻抗,结果表明:升高热处理温度提高压敏电压时,电容弥散频率显著降低,晶粒电阻明显增大。由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区。界面驰豫方程确定的特征驰豫时间和电容弥散频率计算式,与晶粒和晶界的电物理参数相关,弥散频率的计算值与实验结果定性相符。热处理温度升高使氧过度向晶粒体内扩散,导致晶粒电阻明显增大,是弥散频率降低的主要原因。

外场下PbLa(Zr,Sn,Ti)O_3陶瓷相变及介电性能行为研究

研究了温度、等静压力对PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷相变、介电常数(εr)及损耗(tanδ)的影响。结果表明:在温度场下,随着温度的升高,PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷从四方反铁电相(AFET)转变为立方顺电相(PEC),在低温段出现频率弥散现象;在压力场下,随着等静压力的增加极化过的AFE陶瓷发生FE/AFE相变,同时伴随突然的释放电荷过程;在一定的等静压力下,经极化后变为铁电体的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷在温度的诱导下会转变为反铁电相,最后转变为顺电相;随着等静压力的增加,铁电/反铁电转变温度降低,反铁电/顺电转变温度上升。

等静压力诱导的PMN-PT单晶介电弛豫特性研究

研究了不同等静压力下的PMN-PT单晶的介电常数(εr)与温度(T)的关系,以及常温下介电常数(εr)及损耗(tanδ)与压力(p)之间的关系。发现了PMN-PT单晶在压力作用下出现明显的介电频率弥散现象。当等静压力增大到一定压力时,PMN-PT单晶的介电常数值迅速降低,介电频率弥散更加显著,且出现弛豫特性,介电损耗的弛豫特征更加明显。随着频率的增加,介电损耗峰对应的峰值压力向高压方向移动。其根本原因是压力诱导的介电-压力弛豫特性导致的。

双层钙钛矿Sr_2TiMnO_6的溶胶–凝胶法合成和介电性研究

采用溶胶-凝胶法制备了Sr2TiMnO6陶瓷粉末，利用X射线衍射、红外光谱、扫描电子显微镜对其结构进行了表征，并研究了Sr2TiMnO6的介电行为。结果表明，煅烧温度为1473K时即可合成具有四方结构的双层钙钛矿Sr2TiMnO6，且样品结晶性良好。在125～475K时材料的介电行为表现出频率弥散现象并出现两处介电弛豫。低温介电弛豫满足Arrhenius公式，表明该弛豫行为由热激活引起；而在高温下，材料缺陷（气孔）及大的漏导导致介电损耗迅速增大。

MgSiO_3掺杂Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3陶瓷的介电调谐特性及微波性能(英文)

MgSiO3掺杂Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷具有Ba1-xSrxTiO3、(Ba,Sr)2TiSi2O8、Ba4MgTi11O27和Mg2TiO4多相结构。MgSiO3低掺量(质量分数≤10%)陶瓷样品具有条形晶粒和细晶粒组成的微结构;随着MgSiO3掺量增加,陶瓷样品形成晶粒细小、均匀的微结构;当MgSiO3掺量达到20%时,介电损耗峰出现强的频率弥散特性。随着MgSiO3掺量从5%增加到30%,样品的介电常数和介电可调率分别从582降低到42和17.7%降低到4.0%,而微波损耗从8.6×10-3增加到1.0×10-2。Raman光谱证实(Ba,Sr)2TiSi2O8相的存在,并导致材料微波损耗增加;同时约280 cm-1处的E(TO2)振动模随着MgSiO3掺量的增加而蓝移,导致材料介电常数降低。