O437 2005053463 获得金纳米颗粒表面C60SERS的一种新方法=SERS of C60 on gold-coated filter paper and filter film[刊,中]/骆智 训(首都师范大学物理系,北京市纳米光电子学重点实验 室.北京(100037)),方炎∥光电子·激光.-20...O437 2005053463 获得金纳米颗粒表面C60SERS的一种新方法=SERS of C60 on gold-coated filter paper and filter film[刊,中]/骆智 训(首都师范大学物理系,北京市纳米光电子学重点实验 室.北京(100037)),方炎∥光电子·激光.-2005,16 (4).展开更多
本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄...本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄生效应,给出了改进的等效电路模型,消除了频率色散.研究发现,高k介质中存在的缺陷和SiO2/Si处的界面态,使高频C-V特性发生漂移.对禁带中界面态的分布进行归纳,得到C-V曲线形变的规律.研究了形变的C-V曲线与理想C-V特性的偏离,给出了界面态电荷密度的分布,得到了相对于实测C-V曲线的矫正线.通过比较理想C-V曲线和矫正线,提取了平带电压、栅氧化层电荷、SiO2/Si界面的界面态密度等典型的电学参数.展开更多
文摘O437 2005053463 获得金纳米颗粒表面C60SERS的一种新方法=SERS of C60 on gold-coated filter paper and filter film[刊,中]/骆智 训(首都师范大学物理系,北京市纳米光电子学重点实验 室.北京(100037)),方炎∥光电子·激光.-2005,16 (4).
文摘本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄生效应,给出了改进的等效电路模型,消除了频率色散.研究发现,高k介质中存在的缺陷和SiO2/Si处的界面态,使高频C-V特性发生漂移.对禁带中界面态的分布进行归纳,得到C-V曲线形变的规律.研究了形变的C-V曲线与理想C-V特性的偏离,给出了界面态电荷密度的分布,得到了相对于实测C-V曲线的矫正线.通过比较理想C-V曲线和矫正线,提取了平带电压、栅氧化层电荷、SiO2/Si界面的界面态密度等典型的电学参数.