加速时域玻恩迭代收敛的频率补偿技术

该文提出了一种能够加速时域玻恩这代法收敛的频率补偿技术，并把频率补偿技术应用于时域玻恩这代法求解二维无耗介质体的剖面重建．数值结果表明频率补偿技术能有效地提高时域玻恩迭代法的收敛速度．

一种新颖的低压差线性稳压电路的频率补偿技术

针对低压差(LDO)线性稳压转换电路输出负载动态变化的应用,提出了一种新颖的负载自适应的频率补偿技术,以保证电路在负载动态变化条件下的稳定性。采用中芯国际的0.18μm通用逻辑工艺设计设计试制了采用负载自适应的频率补偿技术的LDO线性稳压转换电路,验证了该技术的可行性和可靠性。

多级运算放大器频率补偿技术研究

作为集成电路中的核心模块,运算放大器在当今的电源管理、模数转换器以及数模转换器等电路中都得到了广泛应用,其运算放大性能也将会对电路整体性能产生直接影响。而在集成电路发展中,传统的一级和二级运算放大器已经无法满足其实际应用需求,多级运算放大器开始投入使用。由于多级运算放大器中额外引入了零点和极点,使其稳定性也受到了一定影响。基于此,本文先从频率补偿技术进行了分析,并对多级运算放大器中的频率补偿技术应用加以深入研究,以此来促进多级运算放大器的良好设计与应用。

射频宽带、低噪声单片放大器设计

本文介绍一种宽带、低相位噪声射频集成放大器设计，采用负反馈频率补偿技术，通过优化设计反馈网络电阻及电容值，有效地展宽了工作频带；采用了封装电容做级间匹配电容，提高了电路模型精度增加了流片的可实现性；通过级间匹配电容，有效地补偿了带内平坦度。电路结构简单，性能优良，在0．8μm SiGe BiCMOS工艺上实现的放大器3dB带宽0～7．5GHz，将广泛应用于光纤通信、软件无线电、雷达及通信一体化接收前端。

基于频率补偿的高稳定抽运激光器驱动电路

设计了一种基于频率补偿技术的高精度、高稳定度抽运激光器驱动电路,该驱动电路以深度负反馈系统的电流调节为内环,光功率反馈调节为外环,同时采用一阶人工分析与Tina SPICE仿真相结合的方法,对环路进行频率补偿,实现了抽运激光器的高稳定性控制。通过模拟比例积分微分技术控制驱动芯片,实现半导体制冷器的电流调节。所设计的驱动电路在自动电流控制模式下输出连续可调的电流,同时具有慢启动、防反向电流和过流保护等功能,输出电流长期稳定度可达0.04%。在自动功率控制模式下,激光器输出功率长期稳定度优于0.3%,控制线性度达0.9999,温控的长期稳定性优于0.0928%。实验结果表明,该驱动系统具有安全性高、稳定性好、使用方便等优点。

Design of a fast-transient and high-stabilized GPS low dropout regulator

A high stabilized low dropout(LDO) voltage regulator fabricated for GPS radio frequency(RF) chip in SMIC 0.18μm CMOS technology is presented.The LDO mainly consists of bandgap reference,error amplifier,resistive feedback network and AC current path.A fast current path is added to improve the performance of LDO's transient response.Equivalent series resistance(ESR)compensation and internal Miller compensation are used to constitute the frequency compensation.The measurement results of the transient response of the output voltage show that it can recover within 2μs with less than 120 mV ripple when the load current is changed from 0 to 100 mA.The total quiescent current of LDO and bandgap reference(without load) is 260 μA.

基于GaAs PHEMT的Ka波段功率放大器设计

基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款Ka波段功率放大器.设计中改进了拓扑结构和稳定电路,优化栅宽,将匹配电路与Wilkinson功分器结合,并采用预匹配技术与频率补偿技术,达到了提高增益,减小芯片尺寸及损耗的目的.仿真结果显示,该功率放大器在28-30.5 GHz频带内功率P1 dB大于38 dBm,功率附加效率大于18%,增益大于23.5 dB,芯片面积为3.69×3.87 mm2.