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颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制 被引量:7
1
作者 梁宗存 许颖 +3 位作者 公延宁 沈辉 李仲明 李戬洪 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期45-48,共4页
以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带 (SSP) ,对颗粒硅带表面形态进行分析。以SSP为衬底 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法生长多晶硅薄膜 ,并以此制作出效率为 2 93%的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池 ,这在国内属首先。并报道了对以SSP为... 以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带 (SSP) ,对颗粒硅带表面形态进行分析。以SSP为衬底 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法生长多晶硅薄膜 ,并以此制作出效率为 2 93%的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池 ,这在国内属首先。并报道了对以SSP为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的初步研究结果 ,同时讨论了该类电源的结构。 展开更多
关键词 颗粒 快速热化学气相沉积 RTCVD 多晶薄膜太阳电池 SSP 电源结构 工艺 改进措施
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颗粒硅带上薄膜太阳电池的研究 被引量:2
2
作者 励旭东 许颖 +3 位作者 李维刚 姬成周 李仲明 马本堃 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期781-784,共4页
采用颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 6 .36 %的薄膜太阳电池 .对衬底特性、电池制作工艺、存在问题及进一步的研究方向做了探讨 .
关键词 颗粒 薄膜太阳电池 快速热化学气相沉积 多晶薄膜 制作工艺
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用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量 被引量:1
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作者 胡芸菲 沈辉 +5 位作者 王磊 邹禧武 班群 梁宗存 刘正义 闻立时 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期28-31,共4页
以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量.借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、... 以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量.借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征.结果表明:区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高. 展开更多
关键词 区熔 颗粒 多晶薄膜 平整度 择优取向
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颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池制备工艺 被引量:2
4
作者 班群 沈辉 王晓晶 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期95-98,共4页
主要阐述了以低纯度颗粒硅带(SSP-Silicon Sheet from Powder)为衬底的多晶硅薄膜(poly-CsiTF)太阳电池的制备,给出制得的太阳电池I-V曲线和光谱响应曲线并由此讨论影响电池性能的可能因素,着重分析了颗粒硅带衬底的作用。目前,在没有... 主要阐述了以低纯度颗粒硅带(SSP-Silicon Sheet from Powder)为衬底的多晶硅薄膜(poly-CsiTF)太阳电池的制备,给出制得的太阳电池I-V曲线和光谱响应曲线并由此讨论影响电池性能的可能因素,着重分析了颗粒硅带衬底的作用。目前,在没有任何电池工艺优化的条件下,在低纯度硅带上制得多晶硅薄膜电池的转换效率通常在5%~7%范围(电池面积1cm2)。 展开更多
关键词 低纯度颗粒 多晶薄膜太阳电池
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晶体硅薄膜太阳电池的衬底材料——颗粒硅带(SSP)的制备 被引量:2
5
作者 班群 王晓晶 沈辉 《能源工程》 2002年第1期12-14,共3页
晶体硅薄膜太阳电池 (CSiTF CrystallineSiliconThinFilmSolarCells)由于具有降低制造成本的空间 ,成为目前研究工作的一个热点。我们将注意力集中在低成本、可连续化的硅衬底制备上 ,即颗粒硅带 (SSP SiliconSheetfromPowder)制备技术... 晶体硅薄膜太阳电池 (CSiTF CrystallineSiliconThinFilmSolarCells)由于具有降低制造成本的空间 ,成为目前研究工作的一个热点。我们将注意力集中在低成本、可连续化的硅衬底制备上 ,即颗粒硅带 (SSP SiliconSheetfromPowder)制备技术。可以使用不同纯度、粒度的硅粉 ,经过光聚焦加热熔化 ,最后得到不同长度、宽度和厚度的颗粒硅带衬底材料。介绍了晶硅薄膜太阳能电池衬底材料的现状 。 展开更多
关键词 晶体薄膜太阳电池 衬底材料 颗粒 制备 SSP
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低纯度颗粒硅带上硅薄膜太阳电池
6
作者 励旭东 许颖 +3 位作者 李维刚 姬成周 李仲明 马本堃 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期290-292,共3页
采用廉价国产硅粉拉制的低纯度颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 4 5 %的薄膜太阳电池。对衬底和薄膜特性、相关工艺及进一步的研究方向做了探讨。
关键词 快速热化学气相沉积 颗粒 多晶薄膜 太阳电池
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背面熔化对颗粒硅带表面质量的改善 被引量:1
7
作者 邹禧武 梁宗存 沈辉 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期196-199,共4页
衬底的表面质量对外延薄膜有着显著的影响。为获得高质量的衬底,我们改进了SSP的制备方式。将制备的SSP硅带进行背面熔化后,硅带背面的表面质量得到大幅改善,晶粒明显增大。通过SEM和金相显微镜观察,对两种SSP进行了比较,分析了产生这... 衬底的表面质量对外延薄膜有着显著的影响。为获得高质量的衬底,我们改进了SSP的制备方式。将制备的SSP硅带进行背面熔化后,硅带背面的表面质量得到大幅改善,晶粒明显增大。通过SEM和金相显微镜观察,对两种SSP进行了比较,分析了产生这些变化的原因,并讨论了改进建议。 展开更多
关键词 背面熔化 颗粒 晶界
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颗粒硅带衬底上多晶硅薄膜电池研制取得新进展
8
《高科技与产业化》 2005年第10期45-45,共1页
目前中国科学院广州能源研究所太阳能实验室承担的国家“863”项目“颗粒硅带村底上多晶硅薄膜电池的研制”在颗粒硅带衬底制备方面取得了新的进展。多晶硅薄膜电池对衬底的要求是非常苛刻的,它不仅要求衬底满足与硅的化学相熔性好、... 目前中国科学院广州能源研究所太阳能实验室承担的国家“863”项目“颗粒硅带村底上多晶硅薄膜电池的研制”在颗粒硅带衬底制备方面取得了新的进展。多晶硅薄膜电池对衬底的要求是非常苛刻的,它不仅要求衬底满足与硅的化学相熔性好、热膨胀系数匹配,而且还要求衬底表面平整、光滑以适于随后的电池制备过程。 展开更多
关键词 多晶薄膜电池 衬底表面 颗粒 中国科学院广州能源研究所 制取 制备过程 热膨胀系数 实验室 太阳能 化学相
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颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的研发
9
《中国建设动态(阳光能源)》 2003年第06M期31-32,共2页
关键词 多晶薄膜 太阳电池 颗粒 气相沉积
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颗粒硅带衬底上多晶硅薄膜电池研制取得新进展
10
《新材料产业》 2003年第9期62-62,共1页
关键词 多晶薄膜电池 中国 颗粒 化学相熔性 热膨胀系数 太阳能
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颗粒硅带设备和快速加热化学气相沉积系统
11
作者 艾晓彬 沈辉 +3 位作者 胡芸菲 班群 王晓晶 廖显伯 《太阳能》 2001年第4期12-13,共2页
关键词 薄膜太阳电池 颗粒设备 SSP 化学气相沉积 CVD 快速加热
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SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究 被引量:1
12
作者 郜小勇 卢景霄 +2 位作者 李仲明 许颖 励旭东 《郑州大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第2期39-41,共3页
从简化步骤、降低成本的角度出发 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法在低纯颗粒带硅 (SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池 .测试结果表明 ,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了 3 .5 7%的转换效率 .并在此基... 从简化步骤、降低成本的角度出发 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法在低纯颗粒带硅 (SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池 .测试结果表明 ,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了 3 .5 7%的转换效率 .并在此基础上提出采用氢钝化、减反射、快速生长和隔离技术 。 展开更多
关键词 颗粒带硅 热化学 气相沉积 多晶薄膜 太阳电池 转换效率 氢钝化 快速生长
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多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展 被引量:13
13
作者 胡芸菲 沈辉 +1 位作者 梁宗存 刘正义 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期200-206,共7页
从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底,采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜,随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的... 从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底,采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜,随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到6.05%。 展开更多
关键词 多晶薄膜 颗粒 化学气相沉积 区熔再结晶
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开口隔离层上多晶硅薄膜制备
14
作者 梁宗存 柳锡运 沈辉 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期369-372,共4页
在SSP硅带衬底上制备开口SiO2隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔离层上多晶硅薄膜,并制备了多晶硅薄膜电池。研究结果表明:ZMR对籽晶层的区融、结晶效果比较理想,晶粒尺... 在SSP硅带衬底上制备开口SiO2隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔离层上多晶硅薄膜,并制备了多晶硅薄膜电池。研究结果表明:ZMR对籽晶层的区融、结晶效果比较理想,晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽;经过晶硅薄膜沉积后,开口隔离层的孔洞未完全被多晶硅薄膜层覆盖住;制备的电池的光特性参数Voc、Isc、FF都比较低,电池的最高转换效率为3.83%;指出了改进的工艺措施。 展开更多
关键词 多晶薄膜电池 颗粒 隔离层
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低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索
15
作者 许颖 励旭东 +3 位作者 王文静 于元 赵玉文 沈辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期301-304,共4页
在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池。无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/min的沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜... 在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池。无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/min的沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜。通过扩散工艺制成的多晶硅薄膜太阳电池的转换效率分别为6 25%(高纯硅粉制成的SSP衬底)和4 5%(低纯硅粉制成的SSP衬底)。 展开更多
关键词 多晶薄膜电池 太阳电池 颗粒 扩散工艺 化学气相沉积 低成本衬底 光伏电池
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影响SSP衬底上多晶硅薄膜太阳电池效率的因素
16
作者 许颖 励旭东 +5 位作者 李艳 顾亚华 于元 曹耀辉 王文静 沈辉 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期14-16,共3页
该文分析了颗粒硅带(SSP;Silicon Sheet from Powder)衬底的杂质、缺陷和晶粒尺寸以及电池的电极设计对多晶硅薄膜太阳电池效率的影响;报道了用快速热化学汽相沉积法(RTCVD)在SSP上制备多晶硅薄膜电池的结果;得到电池的开路电压为506.8... 该文分析了颗粒硅带(SSP;Silicon Sheet from Powder)衬底的杂质、缺陷和晶粒尺寸以及电池的电极设计对多晶硅薄膜太阳电池效率的影响;报道了用快速热化学汽相沉积法(RTCVD)在SSP上制备多晶硅薄膜电池的结果;得到电池的开路电压为506.8mV,短路电流为26.69mA,转换效率为8.25%(AM1.5,24℃,Area=1tm2). 展开更多
关键词 太阳电池 颗粒(SSP) 薄膜
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低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池
17
作者 梁宗存 沈辉 +1 位作者 胡芸菲 许宁生 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期31-34,共4页
以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明:晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电... 以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明:晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电流I02和片并联阻Rp.外部量子效率(EQE)和内部量子效率(IQE)表明载流子收集率在长波方向比较低,量子效率最大值的波长范围大约在500nm. 展开更多
关键词 晶体薄膜电池 颗粒 快热化学气相沉积 沉积 衬底
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薄膜材料与器件
18
《中国光学》 CAS 2004年第1期63-63,共1页
TB43 2004010476 低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索=Polycrystalline silicon thin film solar cells on low cost substrates[刊,中]/许颖(北京市太阳能研究所.北京(100083)),励旭东…∥发光学报.—2003,24(3).—301-304 在低成... TB43 2004010476 低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索=Polycrystalline silicon thin film solar cells on low cost substrates[刊,中]/许颖(北京市太阳能研究所.北京(100083)),励旭东…∥发光学报.—2003,24(3).—301-304 在低成本,两种纯度的P<sup>++</sup>颗粒硅带衬底(SSP)上。 展开更多
关键词 多晶薄膜 化学气相沉积 低成本 薄膜电池 衬底 颗粒 太阳能 器件 发光学 滤光片
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外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究 被引量:3
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作者 艾斌 沈辉 +4 位作者 班群 梁宗存 陈如龙 施正荣 廖显伯 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2004年第11期1300-1312,共13页
为了澄清限制所制备的颗粒硅带上的晶体硅薄膜太阳电池效率的主要因素,对制备在颗粒硅带、经区熔(ZMR)后的颗粒硅带和单晶硅衬底上的外延晶体硅薄膜太阳电池进行了QE和Suns-Voc研究.结果表明,颗粒硅带上沉积的外延层的表面有一定的粗糙... 为了澄清限制所制备的颗粒硅带上的晶体硅薄膜太阳电池效率的主要因素,对制备在颗粒硅带、经区熔(ZMR)后的颗粒硅带和单晶硅衬底上的外延晶体硅薄膜太阳电池进行了QE和Suns-Voc研究.结果表明,颗粒硅带上沉积的外延层的表面有一定的粗糙度,它不但增加了电池表面的漫反射,也使氮化硅减反射膜的结构变得疏松,最终影响了减反射膜的陷光效果;沉积在颗粒硅带上的硅活性层的晶体质量也较差,较重的晶界复合限制了少子扩散长度,使得制备在颗粒硅带上的硅薄膜太阳电池在长波方向上的光谱响应明显变坏.所制备的晶体硅薄膜太阳电池的暗特性参数值均不理想,电池性能尤其受到过高的暗饱和电流I02值和过低的并联电阻Rsh值的严重影响.高的I02值是由于结区硅活性层较差的晶体质量所导致的严重的晶界复合造成的,低的Rsh值被归结为电池经激光切割后未经钝化的裸露的PN结及电池边缘的漏电造成的. 展开更多
关键词 晶体薄膜太阳电池 颗粒 ZMR 电池性能 减反射膜 光效 漏电 量子效率 外延层 衬底
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成果推广
20
《中国科技成果》 2005年第20期62-63,共2页
氨基酸及功能蛋白的研发;活塞环数控车床;集约高产高效设施(型)农作制度研究;数控螺杆磨床;以廉价颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的研制;运成产品数据管理系统。
关键词 成果推广 多晶薄膜太阳电池 产品数据管理系统 数控车床 功能蛋白 农作制度 高产高效 颗粒 氨基酸
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