MgB_2颗粒超导体临界电流的温度特性研究

通过制备MgB2/MgO超导复合材料,获得了典型的MgB2弱连接颗粒超导体,并测量了该样品在不同温度下的I-V特性曲线。在I-V曲线中,我们发现:当电流超过临界电流时,电压随着电流先是缓慢的增长,在电流升到一定值时,电压有一个很陡的突变。我们对这一变化进行了研究,认为这是由于MgO杂质使MgB2的晶界效应增强所引起的。该样品的临界电流和温度的关系满足:jc(T)∝(1-T/Tc)1.3,利用三维Josephson结网络系统的渗流模型进行计算发现,当颗粒超导系统处于非均匀状态时,临界电流和温度满足关系式jc(T)∝(1-T/Tc)4/3,这一结果和我们的实验符合的非常好。

典型颗粒超导体YBa＿2Cu＿3O＿7／V＿2O＿5中临界电流随温度变化的特性

通过制备（ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７）＿（１－ｘ）（Ｖ＿２Ｏ＿５）＿ｘ（０≤ｘ≤０．１５）复合材料，获得了一系列典型的弱连接的颗粒超导体，其中以ｄＲ／ｄＴ－Ｔ关系中呈现出双峰转变为主要特征。第一峰代表晶粒的超导转变，第二峰代表颗粒系统超导长程序的形成。对于具有双峰转变的样品，其临界电流密度一致地符合ｉ＿ｃ～（１－ｔ）￣ｎ，ｎ＝１．６．这一行为与三维Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结网络系统的渗流行为相一致；对于不具有双峰转变的系统，临界电流密度随温度的变化尽管也可以用ｊ＿ｃ～（１－ｔ）￣ｎ描述，但是幂指数ｎ明显地大于１．６，且随样品的不同而离散地分布。本文还对产生这种离散的原因进行探索和分析。

ac方法高Tc超导体晶间和晶内临界电流密度的确定

文中基于临界态Bean模型，给出了用交流磁测量结果确定高Tc颗粒超导体晶间和晶内Bean参数Jc的方法。并对（BiPb）2Sr2Ca2CuOy体材样品做了测量和计算。