纳米铜薄膜瞬态热输运过程试验研究与数值模拟分析

利用磁控溅射法制备厚度100 nm的铜薄膜,使用800 nm泵浦和400 nm探测瞬态反射技术,测量铜薄膜的时间分辨反射率,分析铜薄膜在飞秒激光作用下瞬态热输运过程。利用双温模型对铜薄膜热输运过程进行数值模拟,模拟结果显示电子和晶格体系温度变化过程,电声耦合系数为1.2×1016W·m-3K。变换参数进行模拟,分析薄膜厚度和电声耦合系数对非平衡热输运过程影响规律,为铜薄膜在集成电路中应用提供参考。